Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "PZ" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Structural and electrical properties of electrodeposited single junction of cuprous (I) oxide-copper
Autorzy:
Rówiński, E.
Pławecki, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1075639.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
73.50.Pz
73.40.Sx
Opis:
Cuprous (I) oxide (Cu₂O)-based solar cells were fabricated with the use of the electrodeposition technique at nanometre-scale, and the structural, morphological and electrical properties were investigated. The Cu₂O layers were electrodeposited on crystalline and polycrystalline copper substrates. To complete the Cu₂O/Cu(100) and Cu₂O/Cu interfaces as the solar cells the top electrodes of silver paste were painted on the rear of Cu₂O. The microscopic analysis exhibits uneven surface morphologies of a Cu₂O film with the roughness of 92.5 nm, while the X-ray diffraction analysis reveals that the layers are Cu₂O-type polycrystalline structures with the thickness of 493 nm and the crystallite size of 69.8(6) nm. The theoretical analysis of the current-voltage curve was provided to determine the values of electrical parameters of the most efficient solar cell of Ag/Cu₂O/Cu(100) and clearly indicate presence of two Schottky barriers at interfaces.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 1141-1143
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gain and Dark Current Studies on Planar Photodetectors Made on Annealed GaAs-on-Si
Autorzy:
Riesz, F.
Vo van, Tuven
Varrio, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933966.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.60.Gz
73.50.Pz
73.40.Sx
Opis:
Interdigital, planar photodetectors were fabricated from annealed GaAs/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy using alloyed AuGe/Ni and non-alloyed Cr/Au contacts. The dark current and optical gain of the Cr/Au devices is higher than that of the AuGe/Ni devices. Contact degradation due to annealing and a p-like background doping consistently explains our data. The gain-optical power relationship follows a power law with an exponent close to -1.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 889-892
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zinc oxide/cuprous(I) oxide-based solar cells prepared by electrodeposition
Autorzy:
Pławecki, M.
Rówiński, E.
Mieszczak, Ł.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1075675.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
73.50.Pz
73.40.Sx
Opis:
The aim of this research was to fabricate zinc oxide/cuprous(I) oxide-based heterojunction solar cells with the use of electrodeposition methods, and further to investigate their structures and photovoltaic properties. The ZnO and Cu₂O were used as n- and p-type semiconductors, respectively, to fabricate photovoltaic devices based on Ag/ZnO/Cu₂O/Cu(100) heterojunction structures. The crystallite sizes of ZnO and Cu₂O were determined to be 25.4(3) nm and 69.8(6) nm, respectively. It was pointed out that efficiencies of the solar cells can be gradually adjusted, using different thicknesses of Cu₂O layers, to achieve values as high as 2.7%. The standard diode model and high device performance provide new insights into the issue, outlining guidelines for high-performance solar cells and suggesting that a metal-n-type semiconductor-p-type semiconductor nanostructure-crystal layered, sandwiched-type architecture is a promising platform: to boost the efficiency.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 1144-1146
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mott-Schottky Analysis of the $P3HT:ZnS_\text{cubic}$ and $P3HT:ZnS_\text{hexa}$ Bulk Heterojunction Solar Cells
Autorzy:
Abdul Kareem, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398356.pdf
Data publikacji:
2016-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
87.85.Rs
73.40.Lq
73.40.Sx
73.50.Pz
73.61.Ga
73.61.Ph
73.63.Bd
81.05.Dz
88.40.jp
88.40.jr
Opis:
Bulk heterojunction solar cells of sphalerite and wurtzite ZnS incorporated P3HT were fabricated and their Mott-Schottky analysis was performed to find the conduction mechanism of the devices. The analysis shows the formation of a Schottky junction and band unpinning at the P3HT:ZnS-Al contact and it confirms the hole conductivity in the active material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 3; 409-413
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies