Autor: Kaminska, T. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Piotrowski, T. T.
Barcz, A.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Opis:: Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 804-806
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
Autorzy:: Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T. T.
Piskorski, M.
Guziewicz, M.
Papis, E.
Gołaszewska-Malec, K.
Kasjuniuk, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952070.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
81.05.Ea
81.40.-z
Opis:: A study is made of surface preparation, metallization, patterning and dielectric deposition with the aim of developing process technology for GaSb-based photonic devices.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 903-906
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Interaction of Au with GaSb and its Impact on the Formation of Ohmic Contacts
Autorzy:: Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T.
Kasjaniuk, S.
Guziewicz, M.
Gierlotka, S.
Lin, X. W.
Liliental-Weber, Z.
Washburn, J.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1873078.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Opis:: Interfacial reactions between GaSb and Au were studied by Rutherford backscattering, X-ray diffraction, and cross-sectional transmission electron microscopy. Evaluation of the extent to which the GaSb substrate decomposes was of primary concern. The results give evidence that the reaction takes place even at temperatures as low as 180°C. High reactivity of gold towards GaSb revealed by this study demonstrates that Au-based metallization is not a good candidate for device quality ohmic contacts to GaSb-based devices.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 419-422
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts to n-Type and High Resistivity CdTe
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Guziewicz, M.
Gierlotka, S.
Papis, E.
Łusakowski, J.
Szadkowski, K.
Kwiatkowski, S.
Dietl, T.
Grabecki, G.
Jaroszyński, J.
Karczewski, G.
Zakrzewski, A. K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1873052.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Opis:: The interaction between CdTe and In during the formation of an ohmic contact has been investigated. Emphasis is placed on the study of the effect of thermally induced sublimation of cadmium on electrical properties of contacts. Presented results prove the effectiveness of cap annealing and rapid thermal processing in fabrication of improved ohmic contacts with limited Cd losses during the contacting procedure.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 411-414
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja