Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gołaszewska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowski, T. T.
    Piskorski, M.
    Guziewicz, M.
    Papis, E.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Kasjuniuk, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952070.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    81.05.Ea
    81.40.-z
    Opis:
    A study is made of surface preparation, metallization, patterning and dielectric deposition with the aim of developing process technology for GaSb-based photonic devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 903-906
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interfacial Microstructure of Ni/Si-Based Ohmic Contacts To GaN
    Autorzy:
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Jasiński, J.
    Kozubowski, J.
    Barcz, A.
    Gołaszewska, K.
    Bremser, M. D.
    Davis, R. F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1991549.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Cg
    73.40.Ns
    Opis:
    The microstructure of Ni/Si-based contacts to GaN has been studied using transmission electron microscopy methods. The transition from non-ohmic to ohmic behavior appears to correlate with the initial limited reaction of GaN with Ni and further Si-Ni reaction-driven decomposition of the interfacial GaN-Ni phase.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 383-386
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies