Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Langer, J. M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Impurity Wave Function and Alloy Broadening of Impurity-Related Luminescence
Autorzy:
Buczko, R.
Langer, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929682.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
73.40.Kp
78.55.-m
Opis:
By performing state-of-art computations of the acceptor wave functions in GaAs we show that the linewidth of the conduction band to acceptor luminescence increases more than quadratically with the increase in the binding energy. This proves that study of the fluctuation broadening of the impurity-related emission in semiconductor alloys may provide a critical test for theories claiming realistic impurity wave function computation. The theoretical results are compared with the experimental data for high purity p-type AlGaAs alloys.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 591-594
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Dependence of the Schottky Barrier Heights in Al/AlGaAs Junctions
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Langer, J. M.
Missous, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929743.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.30.+y
73.40.Kp
73.20.Hb
Opis:
The influence of hydrostatic pressure up to 8 kbar on the barrier height of epitaxially MBE-grown Al on AlGaAs metal-semiconductor junctions is reported. The pressure change of the Schottky barrier on n-type AlGaAs is the same as that of the energy gap (for both direct and indirect-gap AlGaAs compositions), while for p-type AlGaAs it is negligible. This result is in direct conflict with a class of models of the Schottky barrier formation based on a concept of a semiconductor neutrality level alignment with the metal Fermi level.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 741-744
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies