Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sobkowicz, J." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
InSb/CdTe Heterojuncton: Self-Consistent Calculations of the Energy Structure
Autorzy:
Sobkowicz, P.
Singleton, J.
Greene, S. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891271.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
Opis:
Results of self-consistent calculations of the subband energy structure of two-dimensional electron gas in the InSb/CdTe heterojunction are reported. Subband occupations and spin splitting in the absence of magnetic field are presented and compared with results of magneto-transport measurements on high mobility, low carrier density heterojunctions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 417-420
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monte Carlo Simulations of Spatial Correlations of Charged Centers in δ-Doped Layers
Autorzy:
Sobkowicz, P.
Wilamowski, Z.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921559.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.20.Dx
71.45.Gm
Opis:
Results of Monte Carlo simulations of a 2D system of charged donors are presented. They enable to study the effects related to a spatial correlation of donor charges located on a random donor matrix. A qualitative difference between DX$\text{}^{+}$ and DX¯ models is observed. In the first case, strong temperature dependence of the correlations and a "freezing-like" behaviour is found. The origin of the freezing is traced to the random distribution of donor sites by comparing the system with a liquid-like model where the charges may assume arbitrary positions within a plane. In the second case only nearest-neighbour correlations are observed. The simulations have direct application in analysis of the behaviour of the DX centers in the GaAs planarly doped with Si.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 645-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies