Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Čerškus, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
High Power Microwave Detection in Asymmetrically Shaped n-Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As Structures
Autorzy:
Ašmontas, S.
Čerškus, A.
Gradauskas, J.
Kundrotas, J.
Lučun, A.
Petkun, V.
Sužiedėlis, A.
Šilėnas, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041762.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.57.Kp
84.40.-x
72.20.Ht
Opis:
Investigations of detection of high power microwaves in planar asymmetrically shaped microwave diodes on the basis of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As ternary semiconductors with various AlAs mole fraction are presented. The principle of operation of the microwave diodes is based on carrier heating phenomena in asymmetrically shaped homogeneous semiconductor structure due to different distribution of the electric field strength along the sample. Experimental results of microwave detection on the barrier-less asymmetrically shaped diodes are presented paying special attention to the homogeneity of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As which was monitored by photoluminescence technique.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 315-318
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies