Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Xu-Zhao" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Intervalley Transfer of Electrons in ZnS-Type Thin Film Electroluminescent Devices
Autorzy:
Zhao, H.
Wang, Y.
Xu, Z.
Xu, X.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011094.pdf
Data publikacji:
1999-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.-i
78.60.-b
Opis:
Based on the calculation about intervalley scattering rates in ZnS, the intervalley transfer process in ZnS-type thin film electroluminescent devices is investigated through the Monte Carlo simulation. The transient time of intervalley transfer is about 0.2-0.3 ps, it coincides with that of electron average energy. Intervalley distribution shifts to high valleys as the electric field increased. The electron kinetic energy distributions in different valleys are also gained. We propose that high valleys could store energies, which could prolong the decay of the electron average energy as the field was removed. These results could be used as the basic data on the study of electroluminescent process and the citation of valley parameters in analytic models should be carefully considered.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 3-4; 475-482
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analytical Band Model in Monte Carlo Simulation of Electric Transport in ZnS Thin Film Electroluminescent Devices
Autorzy:
Zhao, H.
Wang, Y.
Xu, X.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2014087.pdf
Data publikacji:
2000-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.-b
72.20.-i
Opis:
In this paper, an analytical band model is introduced in Monte Carlo simulation of electric transport process in thin film electroluminescent devices. The band structure of ZnS calculated from the empirical pseudopotential method is fitted by using polynomials. The density of states and scattering rates are also calculated from these polynomials. Based on these results, the electric transport process in ZnS-type thin film electroluminescent devices is simulated through the Monte Carlo method. By comparison with others, this model is as fast as the nonparabolic model and as accurate as the full band model. Furthermore, the influence of the band model on the simulation results is also investigated. We show that the dispersion relation and density of states are all important in the simulation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 98, 1-2; 123-130
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies