Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ślebarski, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Kondo Insulating State in CeRhSb$\text{}_{1-x}$Sn$\text{}_{x}$ as a Function of Carrier Number and Its Subsequent Metallization
Autorzy:
Ślebarski, A.
Spałek, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047307.pdf
Data publikacji:
2007-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.27.+a
72.15.Qm
71.30.+h
Opis:
A quantum critical point represents an essential singularity in the phase diagram of the electron-correlated compounds. In the CeRhSb$\text{}_{1-x}$Sn$\text{}_{x}$ system we have observed a quantum criticality at the boundary Kondo insulator-non-Fermi liquid state. In this series of compounds, CeRhSb has a Kondo insulating ground state, whereas CeRhSn exhibits a non-Landau Fermi liquid behavior. In view of different types of behavior of CeRhSb and CeRhSn, we review the results of the solution in CeRhSb$\text{}_{1-x}$Sn$\text{}_{x}$ and discuss the effect of a quasi-continuous change of the number of conduction electrons on the gap formation in the Kondo-insulating regime, as well as on the critical behavior appearance near the quantum critical point.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 4; 487-496
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stabilization of Kondo Semiconductor State by Sb Doping of $CeNi_{1-δ}Sn_{1+δ}$ and the General Criterion of Its Appearance
Autorzy:
Spałek, J.
Ślebarski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812262.pdf
Data publikacji:
2008-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.27.+a
72.15.Qm
71.30.+h
Opis:
Semimetallic off-stoichiometric $CeNi_{1-δ}Sn_{1+δ-x}Sb_x$ system with δ≈0.06 is shown to transform into a Kondo semiconductor upon the substitution of few percent of Sb for Sn. The full-gap formation is associated with f-electron localization induced by the combined effect of the collective Kondo-singlet formation and the atomic disorder. Namely, the extra valence electrons introduced with the Sb doping (one per Sb atom) contribute additionally to the formation of the collective Kondo spin-singlet state at low temperatures, as seen by a substantial reduction of the magnetic susceptibility. The precise general definition of the Kondo semiconductor is provided and the difference with either the simple band or the Mott-Hubbard insulators is stressed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 1; 7-14
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies