Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Majewski, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Field Dependence of Spin Lifetimes in Wurtzite Materials
    Autorzy:
    Majewski, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044501.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.15.Mb
    71.20.Nr
    71.70.Ej
    71.70.Fk
    Opis:
    We present first-principles calculations of the zero field spin splitting of energy bands in wurtzite materials. Our calculations reveal that the huge electric fields originating from strong piezo- and pyroelecric character of nitrides do not increase the spin splitting of bands in nitride heterostructures. This implicates long spin lifetimes in quantum structures based on these materials and weak possibility of tuning with external electric field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 777-780
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Resonant Spin Splitting in III-V Semiconductors
    Autorzy:
    Skierkowski, A.
    Majewski, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044536.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    31.15.Ar
    71.70.Ej
    71.20.-b
    71.20.Nr
    Opis:
    We present first-principles studies of the zero field spin splitting of energy bands in typical III-V semiconductors. Our calculations reveal that the strain induces linear-k spin splitting of the conduction band in theΓ point, which is linear in strain, and determine the magnitude of the so-called acoustic phonon constant that characterizes the magnitude of the spin splitting. In addition, we show that optical phonons lead to spin-flip processes and we present quantitative results for the spin-phonon deformation potentials in GaAs. Most importantly, the calculations show that the linear-k spin splitting can be resonantly enhanced when bands cross in a particular point of the Brillouin zone. This resonant enhancement of the bulk inversion asymmetry coupling constant by more than one order of magnitude was observed in both valence and conduction bands and can be steered by the application of the external stress. This allows tailoring of the spin relaxation and spin precession of conduction electrons in nanostructures to a much larger extent than was hitherto assumed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 867-872
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Strain Induced k-Linear Spin Splitting in III-V Semiconductors
    Autorzy:
    Skierkowski, A.
    Majewski, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047724.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.70.Fk
    71.15.Rf
    71.70.Ej
    71.55.Eq
    Opis:
    We present theoretical studies of the linear-k strain induced spin splitting of the conduction band in the zinc-blende semiconductors. The studies are based on ab initio calculations performed within the density functional theory with non-scalar relativistic effects fully taken into account. This permits one to construct effective Hamiltonian for the strain induced linear-k spin splitting of the zinc-blende semiconductors. This Hamiltonian reproduces fully the structure of the strain induced linear-k spin splitting and generalizes previously introduced and commonly used effective Hamiltonian.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 455-460
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Study of Spin Lifetimes in [110] Strained GaAs
    Autorzy:
    Skierkowski, A.
    Majewski, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047003.pdf
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    71.70.Fk
    71.70.Ej
    72.25.Rb
    Opis:
    We present first-principles studies of the zero field spin splitting of conduction band in [110] strained GaAs that determine spin lifetimes in semiconductors. Our calculations reveal strong anisotropy of the linear-k spin splitting in the (110) plane of the Brillouin zone and very minor in the (001) plane. This provides a qualitative understanding of the difference in the spin lifetimes in the GaAs/AlAs heterostructures grown along [100] and [110] crystallographic directions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 353-358
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies