Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lusakowski, J." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Optical Γ₆ → Γ₈ Free-to-Bound Transitions in Acceptor δ-Doped Single Heterostructure - Theoretical Analysis
Autorzy:
Buczko, R.
Łusakowski, J.
Friedland, K.
Hey, R.
Ploog, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811919.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
78.67.De
Opis:
A theoretical analysis was carried out of an optical transition observed in high-quality GaAs/AlGaAs heterostructures δ-doped with shallow acceptors. The transition involves a 2D electron and a 3D acceptor-localized hole. The wave functions of a bulk Be acceptor were calculated within the spherical model with both the s-like and d-like parts of the envelope taken into account. The electron envelope wave functions resulted from self-consistent calculations of the electrostatic potential and were dependent on the 2D electron concentration, $n_s$. We show that: (i) including the d-like part of the acceptor envelope relaxes the selection rules of free-to-bound transitions at k=0;(ii) in the magnetic field, the selection rules depend on the number of the electron Landau level;(iii) the ratio of the intensity of the strongest transitions in both circular polarizations is essentially different from 3:1, and strongly depends on $n_s$. These results show that a description that neglects the d-like part of the acceptor envelope is both qualitatively and quantitatively unjustified.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1079-1083
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectroscopy of Be Acceptor Ground State in GaAs/AlGaAs Heterostructure
Autorzy:
Łusakowski, J.
Buczko, R.
Sakowicz, M.
Friedland, K. J.
Hey, R.
Ploog, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047378.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
78.67.De
Opis:
Photoluminescence measurements were carried out on Be δ-doped GaAs/Al$\text{}_{0.33}$Ga$\text{}_{0.67}$As heterostructure at 1.6 K in magnetic fields (B) up to 4 T. Luminescence originating from recombination of a two-dimensional electron gas and photoexcited holes localized on Be acceptors was analyzed. The degree of circular polarization (γ$\text{}_{C}$) of the luminescence from fully occupied Landau levels was determined as a function of B and the two-dimensional electron gas concentration, n$\text{}_{s}$. At B constant,γ$\text{}_{C}$ decreased with the increase in n$\text{}_{s}$. The intensity of the optical transition considered was calculated with taking into account s- and d-like parts of the acceptor envelope function. It is shown that the presence of the d-like part explains the observed γ$\text{}_{C}$(n$\text{}_{s}$) dependence quantitatively. This shows that polarization spectroscopy on acceptorδ-doped heterostructures enables one to test experimentally the contribution of the L>0 component of the envelope in a shallow acceptor description.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 209-213
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies