Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Z.R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Dobaczewski, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.20.Pw
    61.72.Vv
    71.55.Eq
    Opis:
    A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Molecular Beam Epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As: New Donor Doping Sources
    Autorzy:
    Dobaczewski, L.
    Missous, M.
    Singer, K. E.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929771.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Bd
    61.50.Cj
    71.55.Eq
    Opis:
    The first results obtained with the use of Ga$\text{}_{2}$S$\text{}_{3}$ and Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ compounds as sources of donor elements for molecular beam epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb (0 ≤ x ≤ 1) and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (0 ≤ x ≤ 0.4) are reported. In GaAs free electron concentrations obtained when incorporating the donors from these sources can be easily controlled in the range of three orders of magnitude. For Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb it was possible to compensate the high concentration of native acceptors and to obtain n-type of conductivity.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 826-828
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
    Autorzy:
    Ostermayer, G.
    Jantsch, W.
    Dobosz, D.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Wilamowski, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 769-772
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
    Autorzy:
    Surma, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Fronc, K.
    Stalinga, P.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    76.30.Lh
    78.66.Fd
    Opis:
    Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
    Autorzy:
    Dobaczewski, L.
    Kaczor, P.
    Missous, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Dobosz, D.
    Peaker, A. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.38.+i
    71.55.Eq
    78.50.Ge
    Opis:
    A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Infrared Spectroscopy of Light Impurities in GaSb
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Kaliński, Z.
    Jakieła, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043723.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    63.20.Pw
    Opis:
    In our work we study the doping behaviour of sulphur in Czochralski grown GaSb by means of the high resolution Fourier transform infrared spectroscopy and the secondary ion mass spectroscopy. We have revealed that the sulphur impurity forms an effective mass like donor state bound to the L-minimum of the conduction band. From the far infrared spectrum of this donor we derive the effective band masses of the L band minimum. We also observe local vibrational modes related to the arsenic and phosphorus isoelectronic impurities. From the nearest neighbour isotope splittings of these modes we conclude that the arsenic impurity occupies a tetrahedral substitutional site and the phosphorus impurity - a low symmetry lattice site.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 711-715
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-Ray Photoelectron Study of Yb-Doped InP
    Autorzy:
    Iwanowski, R. J.
    Sobczak, J. W.
    Kaliński, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1963388.pdf
    Data publikacji:
    1997-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.60.Bm
    71.55.Eq
    Opis:
    X-ray photoelectron spectra of core levels are reported for InP:Yb. Crystalline InP, doped with Yb to a level of 0.5 at.%, was grown by the synthesized solute diffusion method. An analysis of the core-level spectra of the constituent components, i.e. In 3d$\text{}_{5}\text{}_{/}\text{}_{2}$ and P 2p, revealed a minor influence of the surface oxide species, mainly in the phosphate-like form. The spectrum of the Yb 4d core level was also recorded. The energy of the Yb 4d$\text{}_{3}\text{}_{/}\text{}_{2}$ peak was found identical to that in Yb metal, whereas the 4d$\text{}_{5}\text{}_{/}\text{}_{2}$ peak was found to be shifted to higher binding energies. This effect was found comparable to the case of advanced oxidation of Yb thus confirming its high reactivity, even as a bulk dopant. The data give also a rare experimental example of detection of bulk dopant atoms in a semiconductor matrix by X-ray photoelectron spectroscopy at the limit of detectability.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 4; 809-813
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels in GaN p-n Junctions Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep-Level Spectroscopy
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Placzek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048090.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    71.55.Eq
    73.40.Kp
    Opis:
    p$\text{}^{+}$-n GaN diodes were studied by means of conventional deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy methods within the temperature range of 77-350 K. Deep level transient signal spectra revealed the presence of a majority and minority trap of indistinguishable signatures. The Laplace transform deep-level spectroscopy technique due to its superior resolution allows us to unambiguously identify and characterize the traps. The apparent activation energy and capture cross-section for the majority trap were found to be equal to 0.63 eV and 2 × 10$\text{}^{-16}$ cm$\text{}^{2}$ and for the minority trap 0.66 eV and 1.6 × 10$\text{}^{-15}$ cm$\text{}^{2}$. It has been confirmed that the Laplace transform deep-level spectroscopy technique is a powerful tool in characterization of the traps of close signatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 669-671
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies