Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Z. P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Properties of Bulk GaSb and AlGaSb
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z.
    Dobosz, D.
    Kaliński, Ż.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1858188.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.20.Pw
    61.72.Vv
    71.55.Eq
    Opis:
    Optical measurements of bulk GaSb:S reveal the structure of the lattice two phonon absorption and acceptor-valence band transitions. A sulphur related local vibrational modes and several bands related to the optical transitions from the ground state of the acceptor level are observed. A comparison of transport and optical measurements for GaSb:Te and AlGaSb:Te shows that in the alloy it is easier to obtain high concentrations of the electrically active Te impurity.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 763-766
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monte Carlo Simulations of Spatial Correlations of Charged Centers in δ-Doped Layers
    Autorzy:
    Sobkowicz, P.
    Wilamowski, Z.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921559.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.20.Dx
    71.45.Gm
    Opis:
    Results of Monte Carlo simulations of a 2D system of charged donors are presented. They enable to study the effects related to a spatial correlation of donor charges located on a random donor matrix. A qualitative difference between DX$\text{}^{+}$ and DX¯ models is observed. In the first case, strong temperature dependence of the correlations and a "freezing-like" behaviour is found. The origin of the freezing is traced to the random distribution of donor sites by comparing the system with a liquid-like model where the charges may assume arbitrary positions within a plane. In the second case only nearest-neighbour correlations are observed. The simulations have direct application in analysis of the behaviour of the DX centers in the GaAs planarly doped with Si.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 645-648
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Infrared Spectroscopy of Light Impurities in GaSb
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Kaliński, Z.
    Jakieła, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043723.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    63.20.Pw
    Opis:
    In our work we study the doping behaviour of sulphur in Czochralski grown GaSb by means of the high resolution Fourier transform infrared spectroscopy and the secondary ion mass spectroscopy. We have revealed that the sulphur impurity forms an effective mass like donor state bound to the L-minimum of the conduction band. From the far infrared spectrum of this donor we derive the effective band masses of the L band minimum. We also observe local vibrational modes related to the arsenic and phosphorus isoelectronic impurities. From the nearest neighbour isotope splittings of these modes we conclude that the arsenic impurity occupies a tetrahedral substitutional site and the phosphorus impurity - a low symmetry lattice site.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 711-715
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Dobaczewski, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.20.Pw
    61.72.Vv
    71.55.Eq
    Opis:
    A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Level Studies in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Layers Grown by MBE
    Autorzy:
    Płachetko, S.
    Ząbik, G.
    Łukasiak, Z.
    Borowski, P.
    Bała, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992065.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    The deep levels present in semiconducting Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) were investigated by means of deep level transient spectroscopy, photocapacitance transient and thermally stimulated depolarization. The thermal activation energy levels estimated from the deep level transient spectroscopy measurements are: E$\text{}_{T1}$=0.28 eV and E$\text{}_{T2}$=0.56 eV. For the Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se epilayers thermally stimulated depolarization curves consist of four overlapping peaks: 227.4 K, 243.6 K, 265.7 K, and 285.0 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 483-486
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
    Autorzy:
    Surma, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Fronc, K.
    Stalinga, P.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    76.30.Lh
    78.66.Fd
    Opis:
    Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Absorption Studies of the Sulphur Donor in GaSb
    Autorzy:
    Kaczor, P.
    Gerrits, A. M.
    Dobaczewski, L.
    Kaliński, Z.
    Wittlin, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1873018.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    71.70.Ej
    78.50.Ge
    Opis:
    The shallow-deep bistability of the sulphur-related DX centre in GaSb is demonstrated. After photoexcitation of the defect with the near-band gap light the metastable inter-donor transition in the far infrared can be observed. This observation allowed us to evaluate the polaron effective mass and polaron coupling constant for the material.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 399-402
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels in GaN p-n Junctions Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep-Level Spectroscopy
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Placzek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048090.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    71.55.Eq
    73.40.Kp
    Opis:
    p$\text{}^{+}$-n GaN diodes were studied by means of conventional deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy methods within the temperature range of 77-350 K. Deep level transient signal spectra revealed the presence of a majority and minority trap of indistinguishable signatures. The Laplace transform deep-level spectroscopy technique due to its superior resolution allows us to unambiguously identify and characterize the traps. The apparent activation energy and capture cross-section for the majority trap were found to be equal to 0.63 eV and 2 × 10$\text{}^{-16}$ cm$\text{}^{2}$ and for the minority trap 0.66 eV and 1.6 × 10$\text{}^{-15}$ cm$\text{}^{2}$. It has been confirmed that the Laplace transform deep-level spectroscopy technique is a powerful tool in characterization of the traps of close signatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 669-671
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
    Autorzy:
    Dobaczewski, L.
    Kaczor, P.
    Missous, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Dobosz, D.
    Peaker, A. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.38.+i
    71.55.Eq
    78.50.Ge
    Opis:
    A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies