Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Twardowski, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
    Autorzy:
    Wołoś, A.
    Kossacki, P.
    Golnik, A.
    Kamińska, M.
    Gaj, J. A.
    Twardowski, A.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035615.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    71.70.Ej
    71.55.Eq
    71.20.Nr
    Opis:
    In this work we demonstrate an application of Faraday rotation for measuring an extremely small Zeeman splitting of an Mn related absorption line placed at 1.417 eV in optical absorption spectrum of Mn and Mg doped gallium nitride. Analysis of the collected spectra allowed us to determine the value of the splitting as equal to 0.12±0.01 meV at 6 T. This data should help in establishing the nature of the observed absorption band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 695-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Formation of Mn-Related Defect Band in InP
    Autorzy:
    Macieja, B.
    Korona, K. P.
    Piersa, M.
    Witowski, A. M.
    Wasik, D.
    Wysmołek, A.
    Strzelecka, G.
    Hruban, A.
    Surma, B.
    Palczewska, M.
    Kamińska, M.
    Twardowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036033.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.20.Ee
    72.20.Jv
    Opis:
    Electron paramagnetic resonance, optical absorption, luminescence and electrical studies of InP highly doped with Mn were performed. Electron paramagnetic resonance revealed presence of manganese in Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) configuration. In optical absorption, systematic reduction of InP band gap was observed with increase in Mn content. This was correlated with increase in photoionization-type absorption band starting at 0.2 eV. Time-resolved photoluminescence measurements showed decrease in photoexcited carrier lifetime and shortening of donor-acceptor pair recombination time with increase in Mn content. Moreover, photoluminescence band was shifted to lower energies, similarly to optical band gap. In electrical transport two mechanisms of conductivity were observed. Valence band transport dominated at higher temperatures, above 160 K, and activation energy of free-hole concentration was determined as about 0.20 eV. At lower temperatures hopping conductivity, clearly related to Mn defect band, was present. All these results were consistent with assumption of creation of Mn-related defect-band at 0.2 eV above InP valence band. It was found that Mn centers responsible for this band were in configurations of either d$\text{}^{5}$ or d$\text{}^{5}$ plus a hole localized about 7Å around corresponding Mn core.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 637-642
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies