Autor: Godlewski, J. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optical Properties of GaN Epilayers grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy on AlN Buffer Layer on (111) Si
Autorzy:: Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Rossner, U.
Barski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950766.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
71.35.+z
78.47.+p
Opis:: Optical properties of GaN/AlN/Si (111) epilayers grown by MBE are studied. The observed decay transients of excitonic emissions and their temperature dependence is explained by an efficient transfer link between bound and free excitons.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 789-792
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Excitation and Recombination Processes in InAs$\text{}_{x}$P$\text{}_{1-x}$:Yb (x=0.04, 0.07 and 0.11)
Autorzy:: Godlewski, M.
Kozanecki, A.
Karpińska, K.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1932083.pdf
Data publikacji:: 1995-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
78.55.Cr
71.35.+z
Opis:: Excitation and recombination mechanisms of Yb$\text{}^{3+}$ 4f-4f intra-shell emission in InP and InAsP (4, 7 and 11% of As) are analyzed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 217-220
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer
Autorzy:: Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968103.pdf
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
78.47.+p
Opis:: In this work we evaluate optical properties of cubic phase GaN epilayers grown on top of (001) silicon substrate prepared by a new process. Prior to the growth Si substrate was annealed at 1300-1400°C in propane. The so-prepared substrate is covered with a thin (≈ 4 nm) SiC wafer, which allowed a successful growth of good morphological quality cubic phase GaN epilayers. The present results confirm recent suggestion on smaller ionization energies of acceptors in cubic phase GaN epilayers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:: Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:: 1998-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:: The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja