Autor: Żytkiewicz, Z. R. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:: Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
Opis:: Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
Autorzy:: Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
Opis:: Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
Autorzy:: Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:: A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Molecular Beam Epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As: New Donor Doping Sources
Autorzy:: Dobaczewski, L.
Missous, M.
Singer, K. E.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929771.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.Bd
61.50.Cj
71.55.Eq
Opis:: The first results obtained with the use of Ga$\text{}_{2}$S$\text{}_{3}$ and Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ compounds as sources of donor elements for molecular beam epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb (0 ≤ x ≤ 1) and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (0 ≤ x ≤ 0.4) are reported. In GaAs free electron concentrations obtained when incorporating the donors from these sources can be easily controlled in the range of three orders of magnitude. For Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb it was possible to compensate the high concentration of native acceptors and to obtain n-type of conductivity.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 826-828
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:: Ostermayer, G.
Jantsch, W.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Wilamowski, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:: We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 769-772
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:: Surma, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Fronc, K.
Stalinga, P.
Godlewski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
76.30.Lh
78.66.Fd
Opis:: Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
Autorzy:: Dobaczewski, L.
Kaczor, P.
Missous, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Peaker, A. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.38.+i
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:: A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja