Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Valusis, G." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Investigation of Quantum Effects in Carbonaceous Materials Near the Metal-Insulator Transition by Means of THz Photoconductivity
Autorzy:
Dorosinets, V.
Ksenevich, V.
Seliuta, D.
Martūnas, Z.
Valušis, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813203.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
72.15.Rn
Opis:
A series of carbonaceous fibers with conductivity tuned to the metal-insulator transition were prepared by heat treatment of chemically modified polymer precursors. Peculiar behaviour of the resistivity versus temperature dependence R(T) at low temperatures suggests quantum corrections to the Drude conductivity due to weak localization and electron-electron interaction dominating in the conductivity. The THz conductivity method is employed to study the modification of the density of states and provides evidence for a strong change in density of states at the Fermi level caused by the quantum effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 875-878
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Radiative Recombination Spectra of Heavily p-Type δ-Doped GaAs/AlAs MQWs
Autorzy:
Kundrotas, J.
Čerškus, A.
Valušis, G.
Lachab, M.
Khanna, S.
Harrison, P.
Linfield, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813382.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.-m
78.67.De
71.30.+h
Opis:
We present a study of the photoluminescence properties of heavily Be δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells measured at room and liquid nitrogen temperatures. Possible mechanisms for photocarriers recombination are discussed, with a particular focus on the peculiarities of the excitonic and free carriers-acceptors photoluminescence emissions occurring below and above the Mott metal-insulator transition. Moreover, based on a simple theoretical model, it is found that the critical impurities concentration to observe the Mott transition in the multiple quantum wells samples exhibiting 15 nm wells width and 5 nm thick barrier layers is ≈3×$10^{12} cm^{-2}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 963-966
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies