Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gałązka, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Temperature and Composition Dependence of Photovoltaic Spectra of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se Diodes
    Autorzy:
    Khoi, Le Van
    Szczerbakow, A.
    Karczewski, G.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1886570.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    Opis:
    Photovoltaic spectra of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se homojunctions have been measured in the infrared spectral region within the temperature range 15-300 K. The junctions have been formed by cadmium diffusion into the p-type Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se crystals with manganese content 0 ≤ x ≤ 0.08. From the positions of the photovoltaic maxima the energy band gap of the diode material has been determined. A phenomenological expression describing the energy band gap of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se as a function of temperature and crystal composition has been proposed. In diodes containing high manganese content x = 0.06 and x = 0.08 a second photovoltaic maximum caused by indirect optical transitions between the main conduction band and the secondary valence band located along the $\Sigma$-axis of the Brillouin zone has been observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 287-290
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Self-Induced Persistent Photoconductivity in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions
    Autorzy:
    Van Khoi, Le
    Dobrowolski, W.
    Zakrzewski, A.
    Dobaczewski, L.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952039.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    78.20.Ls
    72.80.Ga
    Opis:
    At temperatures lower than 200 K the photomemory effect has been observed in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions. The persistent photoconductivity can be achieved either by illumination from an external light source or by a self-absorption of the electroluminescence radiation when a voltage of about 10 V for a few seconds is applied to the diode. Current-voltage characteristics are of the form I~ V$\text{}^{m}$. The capacitance and electroluminescence measurements show that the photomemory effect in ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$ Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions can be caused by the bistable nature of the In dopant in the Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate. In the high resistivity interface layer and the substrate material indium forms centers similar to DX-like centers in Zn$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$Te and Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 883-886
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photovoltaic Effect of ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ Heterojunctions in Presence of Magnetic Field
    Autorzy:
    Gałązka, R. R.
    Nguyen, The Khoi
    Khoi, Le Van
    Dobrowolski, W.
    Witkowska, B.
    Mycielski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933917.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    78.20.Ls
    72.80.Ga
    Opis:
    Photovoltaic effect of the ZnTe-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ heterojunctions, prepared by vapor-transport epitaxy of ZnTe on Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate was studied. The photovoltaic measurements were carried out over the temperature range from 12 K to 300 K and in the magnetic field up to 6 T. In the magnetic field, maximum of the sensitivity corresponding to the energy of the forbidden gap of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ substrate splits into two components for σ$\text{}^{+}$ and σ¯ circular polarizations of incident light. This phenomenon was ascribed to the exchange interaction of the magnetic moments of Mn$\text{}^{++}$ ions with band electrons. From the value of the splitting energy the exchange integral N$\text{}_{0}$(α-β) was determined to be 1.15 ± 0.2 eV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 841-844
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies