Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Orłowski, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    A Comparison of the Valence Band Structure of Bulk and Epitaxial GeTe-based Diluted Magnetic Semiconductors
    Autorzy:
    Pietrzyk, M.
    Kowalski, B.
    Orlowski, B.
    Knoff, W.
    Story, T.
    Dobrowolski, W.
    Slynko, V.
    Slynko, E.
    Johnson, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1538868.pdf
    Data publikacji:
    2010-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.60.-i
    71.20.Mq
    71.20.Be
    Opis:
    In this work we present a comparison of the experimental results, which have been obtained by the resonant photoelectron spectroscopy for a set of selected diluted magnetic semiconductors based on GeTe, doped with manganese. The photoemission spectra are acquired for the photon energy range of 40-60 eV, corresponding to the Mn 3p → 3d resonances. The spectral features related to Mn 3d states are revealed in the emission from the valence band. The Mn 3d states contribution manifests itself in the whole valence band with a maximum at the binding energy of 3.8 eV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 293-295
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoemission Electronic Spectra οf CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe
    Autorzy:
    Orlowski, B.
    Dziawa, P.
    Gas, K.
    Reszka, A.
    Mickievicius, S.
    Thiess, S.
    Drube, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492971.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.60.Jv
    71.20.Mq
    73.40.-c
    Opis:
    The synchrotron radiation was used to apply tunable high energy X-ray photoemission spectroscopy for investigation of electronic structure of semiconductor nanostructure CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe/GaAs(001) top part. The $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ (6 nm thick) was buried under thin (22 nm) top layer of CdTe transparent for part of electrons photoemitted from $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ buried layer. The top layer of CdTe was sputtered by Ar ion bombardment for surface cleaning and for leaving the thickness of CdTe more transparent for photoelectrons emitted from buried layer. For these thickness of the top layer the photoemission energy distribution curves corresponding to the valence band and core levels electrons of the buried layer atoms were measured with application of synchrotron radiation of energy hν = 3510 eV. The measured spectra corresponding to the buried layer atoms were observed in the valence band region and in the high binding energy region for core levels of Pb 4f, Pb 3d. The valence band contribution and core levels Cd 4d and Cd 3d were obtained mainly from top cover layer. Measured Te 4d, Te 3d and Te 4d spectra possess contribution as well from top cover layer as from the buried layer. The amount of Eu atoms was to small to be reasonable detected and presented in the paper.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 960-963
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoemission Study of Mn 3d Electrons in the Valence Band of Mn/GeMnTe
    Autorzy:
    Pietrzyk, M. A.
    Kowalski, B. J.
    Orłowski, B. A.
    Knoff, W.
    Osinniy, V.
    Kowalik, I. A.
    Story, T.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047678.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.60.-i
    71.20.Mq
    Opis:
    We present the results of the electronic band structure study of Ge$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$Te epilayers, clean and modified in situ by deposition of manganese atoms. The sets of resonant photoemission spectra were measured for the photon energy range covering the energy of Mn 3p→3d transition (45
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 275-281
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies