Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "72.20.Lp" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Electronic Structure and Transport Properties of UFe$\text{}_{2}$ System
    Autorzy:
    Szlaferek, A.
    Szajek, A.
    Baszyński, J.
    Smardz, L.
    Kowalczyk, A.
    Timko, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2013662.pdf
    Data publikacji:
    2000-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.15.La
    71.20.Lp
    72.15.Eb
    Opis:
    The electronic structure of the UFe$\text{}_{2}$ compound was studied by X-ray photoemission spectroscopy and ab initio self-consistent tight binding muffin tin orbital method. This compound crystallizes in a cubic Laves phase. The calculated valence band spectrum is characterized by two peaks due to U(5f) and Fe(3d) states. We have found a good agreement between the experimental valence band spectrum and theoretical ab initio calculations. The carrier concentration estimated from the Hall effect amounts to ≈10$\text{}^{22}$ cm$\text{}^{-3}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 815-818
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    New Materials of RMn$\text{}_{2}$Ge$\text{}_{2}$ Type for Thermomagnetic Devices
    Autorzy:
    Markin, P. E.
    Zemlyanskii, S. V.
    Baranov, N. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964624.pdf
    Data publikacji:
    1997-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.Lp
    72.15.Jf
    75.30.Gw
    Opis:
    The new type of the working media for thermomagnetic devices is proposed: the intermetallic compounds which have large magnetocrystalline anisotropy and exhibit the spontaneous phase transition from the antiferromagnetic (AF) to ferromagnetic (F) state when the temperature increases above the critical value T$\text{}_{t}$. Moreover, the anisotropy in AF state in the fields below the critical AF-F transition field must be much lower than in the F state. In the present paper the Gd$\text{}_{0.6}$Sm$\text{}_{0.4}$Mn$\text{}_{2}$Ge$\text{}_{2}$ compound belonging to the tetragonal RMn$\text{}_{2}$Ge$\text{}_{2}$ system is investigated. This compound has the critical temperature T$\text{}_{t}$ = 280 K. The thermomagnetic cycle can be realized on the AF-F-AF transition near T$\text{}_{t2}$. The interval of the working temperatures can be shifted with the change of the Gd and Sm concentration.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 2; 327-330
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical Resistivity and Electronic Structure of the $Tb_{x}Gd_{1-x}Ni_3$ System
    Autorzy:
    Chełkowska, G.
    Bajorek, A.
    Chrobak, A.
    Kwiecień-Grudziecka, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1427391.pdf
    Data publikacji:
    2012-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.Eh
    71.20.Lp
    72.15.-v
    72.10.Di
    79.60.-i
    Opis:
    In the paper the electric properties and electronic structure of the intermetallic $Tb_{x}Gd_{1-x}Ni_3$ compounds are presented. The partial replacement of Gd by Tb atoms causes the decrease of the Curie temperature $(T_{C})$ and the increase of the residual resistivity. According to the Matthiessen rule the scattering mechanisms in ρ(T) have been analyzed. Moreover, the reduced form of the electrical resistivity $ρ_{Z} (T - T_{0})$ indicates a deviation from the linearity for x > 0.2. This kind of behaviour can be attributed to density of d states near by the Fermi level $(E_{F})$ which are dominated by Ni 3d states. The valence band spectra as well as the core level lines have been analyzed as the influence of Tb/Gd substitution on the electronic structure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 5-6; 1139-1141
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Interstitial Iron Defect and Doping on Physical Properties and Stability of Iron Telluride
    Autorzy:
    Viennois, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431693.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.-y
    71.55.Ak
    74.70.Xa
    71.20.Lp
    Opis:
    We report on the effect of interstitial iron defect and doping on iron physical properties and stability of iron telluride by combined experimental and theoretical study. We find that antimony doping and increase iron content in interstitial effect have both the effect to slightly decrease the temperature of the magneto-structural transition $T_\text{trans}$. From stability calculations and absence of change in lattice parameters, it is suggested that insertion of antimony did not occur. Large decrease of $T_\text{trans}$ down to 32 K was observed with Ni doping and our stability calculations confirm that the Ni doping is most favorable in the stability point of view. First-Principles calculations of stability of defect using supercell technique for stoichiometric FeTe indicate that the most stable defect is iron interstitial defect, by far, confirming the proposal done in the literature. Our electronic calculations indicate the appearance of large peaks around the Fermi level in the case of this defect and not just simple doping effect.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 928-931
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies