Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Johnson, L.R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Resonant Photoemission Study of Mn 3d Electrons Contribution to the Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Le Van, Khoi
Gałązka, R. R.
Ghijsen, J.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872563.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.-i
Opis:
The resonant photoemission spectroscopy was applied to investigate the valence band electronic structure of semimagnetic semiconductor Pb$\text{}_{0.92}$Mn$\text{}_{0.08}$Se crystal and to determine the contribution of Mn 3d electrons to the valence band. The set of energy distribution curves and constant initial states spectra were taken for by energies in the region (40-60 eV) close to the Mn 3p-3d transition. The electrons Mn 3d hybridize and contribute to the valence band electrons of the crystal and main density of states contribution appears in the energy 3.5 ± 0.2 eV below the valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 329-332
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gd 4f and 5d Electrons in Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te Valence Band
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Gołacki, Z.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933933.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Fi
Opis:
The synchrotron radiation was applied to measure resonant photoemission spectra (Fano-type Gd 4d-4f resonance), constant initial states and constant final states to study the valence band electronic structure of Sn$\text{}_{0.96}$Gd$\text{}_{0.04}$Te crystal. The resonant energy was found equal to 150.3 eV. The electrons 4f were found to contribute to the valence band of the crystal with the maximum located at 9.5 eV below the valence band edge whereas 5d electrons contribute at the crystal valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies