Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kim, T. K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Study of Ti, V and Their Oxides-Based Thin Films in the Search for Hydrogen Storage Materials
Autorzy:
Tarnawski, Z.
Zakrzewska, K.
Kim-Ngan, N.-T.
Krupska, M.
Sowa, S.
Drogowska, K.
Havela, L.
Balogh, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1401913.pdf
Data publikacji:
2015-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Cd
68.49.-h
61.05.C-
68.60.-p
Opis:
Thin film series consisting of Ti, V, TiO₂ and V₂O₅ layer with different layer geometries, sequences and thicknesses have been prepared by the sputtering technique. The hydrogen depth profile of selected films upon hydrogen charging at 1 bar and/or hydrogenation at pressure up to 102 bar was determined by using secondary ion mass spectrometry and nuclear reaction analysis using a N-15 beam. The highest hydrogen storage with a concentration up to 50 at.% was found in the pure Ti and Ti-contained layer, while it amounts to around 30% in the metallic Ti-V-Ni layer. Hydrogen can diffuse through the TiO₂ layer without accumulation, but can be stored in the VO₂ layer in some cases. Hydrogen can remove the preferential Ti orientation in the films and induce a complete transition of V₂O₅ into VO₂ in the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 3; 431-439
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies