Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grodzicki, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modification of Electronic Structure of n-GaN(0001) Surface by N⁺-Ion Bombardment
Autorzy:
Grodzicki, M.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033786.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.47.Fg
73.30.+y
82.80.Pv
Opis:
The electronic structure of n-type GaN(0001) surface and its modification by N⁺ ion bombardment are presented in this report. The studies were carried out in situ in ultrahigh vacuum by ultraviolet photoelectron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and low-energy electron diffraction. Low-energy N⁺ ion bombardment, which was done using an ion gun at an energy of 200 eV, leads to nitriding of the surface. The process changes the surface stoichiometry and, consequently, provides formation of a disordered altered GaN layer. The calculated electron affinity of the clean n-GaN surface of 3.4 eV and band bending of 0.2 eV became changed after bombardment to 2.9 eV and 0.8 eV, respectively. The obtained difference in valence band maximum between the clean sample and the bombarded one was 0.6 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 351-353
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ru/GaN(0001) Interface Properties
Autorzy:
Wasielewski, R.
Grodzicki, M.
Sito, J.
Lament, K.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033790.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.47.Fg
73.30.+y
82.80.Pv
Opis:
We report the results of our studies of ruthenium layer structures adsorbed on GaN(0001). Ruthenium was evaporated at room temperature under ultrahigh vacuum conditions onto n-type GaN substrates epitaxially grown on sapphire. While X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of Ru bonds in the deposited adlayers, the ultraviolet photoelectron spectroscopy show a peak at the Fermi level as well as lines originating from ruthenium. The height of the Schottky barrier was calculated based on the data measured by X-ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy and amounts to 1.5 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 354-357
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies