Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sakurai, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
STM/STS Studies of the Structural Phase Transition in the Growth of Ultra-Thin Bi Films on Si(111)
Autorzy:
Sadowski, J. T.
Nagao, T.
Saito, M.
Oreshkin, A.
Yaginuma, S.
Hasegawa, S.
Ohno, T.
Sakurai, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036956.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.37.Ef
68.47.De
68.55.Ac
Opis:
Growth of thin metal films on semiconductors has been always an important subject for extensive experimental and theoretical studies. As the applicability of well-ordered nanostructures in electronic applications depends strongly on their size and distribution, it is necessary to understand the processes that govern the growth of such structures. In this paper we present the results of investigation of the room temperature growth of thin Bi film on Si(111). In our study we clarified that rotationally disordered, pseudo-cubic Bi(012) islands with uniform height of ≈13Å are formed in the initial stage of Bi film growth. With increase in the amount of bismuth on the surface, islands interconnect maintaining however their uniform height. This process is further accompanied by the unique and unexpected structural phase transition of the Bi(012) film into a hexagonal Bi(001) film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 3-4; 381-387
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies