Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zajac, N." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Interface Properties of Single and Bi-Layer $Fe_3O_4$ Films Grown on MgO(001) Studied by RBS and Channeling Experiments
Autorzy:
Kim-Ngan, N.
Balogh, A.
Brötz, J.
Zając, M.
Korecki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1535628.pdf
Data publikacji:
2010-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
34.35.+a
68.35.Ct
68.35.Fx
68.47.Gh
Opis:
Series of $Fe_3O_4$/MgO(001) and $Fe_3O_4$/Fe/MgO(001) films (single- and bi-layer films, respectively) with a total layer thickness in the range of 20 ÷ 150 nm were investigated by the Rutherford backscattering spectrometry (2 MeV $He^{+}$ ion beam), by the Rutherford backscattering spectrometry channeling experiments (1.5 MeV $He^{+}$ ion beam). Depending on the layer thickness of each layer and the film geometry, a single Fe peak and/or a double-anomaly feature was revealed in the Rutherford backscattering spectra. For all films no magnesium presence in the surface layer was observed. For both single- and bi-layer films with a total layer thickness less than 60 nm only one minimum was observed in the channeling curves, while a double minimum was revealed for the bi-layer films with a larger thickness. X-ray reflectometry measurements have revealed that the film density is the same as that of the bulk one.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 4; 570-575
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies