Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Chrobak, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Influence of Phase Transformations on Incipient Plasticity of Si-Nanospheres
Autorzy:
Chrobak, D.
Nowak, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033040.pdf
Data publikacji:
2017-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.20.-x
62.50.-p
64.70.kg
Opis:
Our finding of the current spike effect highlighted for the first time in 2009 offers an enhanced understanding of the link between nanoscale mechanical deformation and electrical behavior, and ultimately suggests key advances in unique phase-change applications in future electronics. Certainly, crystal imperfections affect the properties of the nanoparticles themselves, e.g., their biocompatibility and biodegradability. The potential role of dislocations having a profound impact on the use of Si nanoparticles was largely overlooked, since plastic deformation of bulk Si is dominated by amorphization and phase transformations. Here we show an effect of bulk → nanoparticle transition (deconfinement) on incipient plasticity of Si-nanovolume. Our results provide a fresh insight into the dilemma concerning dislocation or phase transformation origin of nanoscale plastic deformation of semiconductor nanoobjects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 5; 1318-1331
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nanoscale deformation of GaAs affected by silicon doping
Autorzy:
Majtyka, A.
Nowak, R.
Chrobak, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1112264.pdf
Data publikacji:
2016-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
64.70.kg
61.72.J-
Opis:
Effect of silicon doping on the elastic-plastic transition of GaAs crystal is demonstrated by results of nanoindentations and ab initio simulations. The performed experiments show that an increase of silicon concentration causes a decrease of the contact pressure at the onset of permanent nanodeformation of GaAs crystal. Ab initio calculations demonstrate that presence of Si atoms in the crystal lattice suppresses the shear modulus as well as the pressure of equilibrium between zinc-blende and rock-salt phases of GaAs. Furthermore, it is argued that the effect of dislocations pinning to Si dopants is essential for clarification of GaAs yielding.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 1127-1130
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies