Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "61.80.-x" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Light Emitting Single-Crystalline Silicon Wafers Implanted with V and III Group Ions
    Autorzy:
    Komarov, F.
    Vlasukova, L.
    Milchanin, O.
    Greben, M.
    Parkhomenko, I.
    Mudryi, A.
    Wendler, E.
    Zukowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1198877.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.-x
    61.72.Ff
    63.20.-e
    78.66.-w
    Opis:
    Compound semiconductor nanocrystals (InAs, InSb, GaSb) were successfully synthesized in single crystalline Si by high fluence ion implantation at 500C followed by high-temperature rapid thermal annealing or conventional furnace annealing at 900-1100°C. Rutherford backscattering spectrometry, transmission electron microscopy/transmission electron diffraction, Raman scattering, and photoluminescence were employed to characterize the implanted layers. Two different types of the broad band emission extending over 0.75-1.1 eV were observed in photoluminescence spectra of annealed samples. One of the bands disappears in photoluminescence spectra of samples annealed at 1100C unlike the other one.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1288-1291
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ion Beam Synthesis of InAs Nanocrystals in Si: Influence of Thin Surface Oxide Layers
    Autorzy:
    Komarov, F.
    Vlasukova, L.
    Milchanin, O.
    Greben, M.
    Komarov, A.
    Mudryi, A.
    Wesch, W.
    Wendler, E.
    Zuk, J.
    Kulik, M.
    Ismailova, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400427.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.-x
    61.72.Ff
    63.20.-e
    78.66.-w
    Opis:
    Nanosized crystallites have been synthesized in the Si and $SiO_2//Si$ structures by means of As (170 keV, $3.2 × 10^{16} cm^{-2}$) and In (250 keV, $2.8 × 10^{16} cm^{-2}$) implantation at 25C and 500C and subsequent annealing at 1050C for 3 min. The Rutherford backscattering, transmission electron microscopy, and photoluminescence techniques were used to analyse the impurity distribution as well as the structural and optical characteristics of the implanted layers. It was found that oxidation of samples before thermal treatment significantly reduced the As and In losses. A broad band in the region of 1.2-1.5 μm was detected in the photoluminescence spectra. The highest photoluminescence yield for the samples after "hot" implantation and annealing was obtained. Anodic oxidation of the implanted samples before annealing results in the additional increase of photoluminescence yield.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 809-812
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure and Optical Properties of Silicon Layers with GaSb Nanocrystals Created by Ion-Beam Synthesis
    Autorzy:
    Komarov, F.
    Vlasukova, L.
    Milchanin, O.
    Mudryi, A.
    Dunetz, B.
    Wesch, W.
    Wendler, E.
    Karwat, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503945.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.-x
    61.72.Ff
    63.20.-e
    78.66.-w
    Opis:
    We have studied the ion-beam synthesis of GaSb nanocrystals in Si by high-fluence "hot" implantation of Sb and Ga ions followed by thermal annealing. The Rutherford backscattering, transmission electron microscopy/transmission electron diffraction, Raman spectroscopy and photoluminescence were used to characterize the implanted layers. It was found that the nanocrystal size increases from 5 to 60 nm in the samples annealed at 900°C up to 20-90 nm in those annealed at 1100°C. For the samples annealed at 900°C a broad band in the region of 0.75-1.05 eV is registered in the photoluminescence spectra. The nature of this photoluminescence band is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 87-90
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies