Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Young, W. R." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Microhardness and the Young Modulus of Thin, MBE-Grown, (Sn,Mn)Te Layers Containing up to 8% of Mn
Autorzy:
Adamiak, S.
Zięba, M.
Minikayev, R.
Reszka, A.
Taliashvili, B.
Szuszkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033220.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.20.de
62.20.Qp
68.60.Bs
Opis:
The thin layers of (Sn,Mn)Te solid solution were grown by molecular beam epitaxy onto (111)-oriented BaF₂ substrates and characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, energy dispersive X-ray spectrometry, and X-ray diffraction methods. The epitaxial character of the growth was confirmed. All the layers exhibited a regular (fcc) structure of the rock-salt type and were (111)-oriented, their thickness was close to about 1 μm. The layers contained up to 8% of Mn. The microhardness and the Young modulus values were determined by the nanoindentation measurements. The Berkovich type of the intender was applied, the maximum applied load was equal to 1 mN. The results of measurements demonstrated a lack of the composition dependence of the Young modulus value. A slight increase of the microhardness value with an increasing Mn content in the (Sn,Mn)Te solid solution was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 347-350
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies