Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wójtowicz, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    δ-Doped CdTe/Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Multiple Quantum Wells Investigated by Photoreflectance Spectroscopy
    Autorzy:
    Sitarek, P.
    Misiewicz, J.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933972.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    78.66.Hf
    Opis:
    Room temperature photoreflectance spectroscopy was used to investigate CdTe/Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te multiple quantum wells grown by MBE. Structures were indium δ-doped into the well or into the barrier. The value of heavy and light hole subbands splitting was measured and compared to the calculated ones. The influence of the position of δ-doping on the measured spectra was shown.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 901-904
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Rare Earth Ion Implantation in GaN: Damage Formation and Recovery
    Autorzy:
    Gloux, F.
    Ruterana, P.
    Wojtowicz, T.
    Lorenz, K.
    Alves, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046897.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    61.72.Nn
    68.37.Lp
    81.05.-t
    Opis:
    Rare earth ions implanted GaN has been investigated by transmission electron microscopy versus the fluence, using Er, Eu or Tm ions at 150 keV or 300 keV and at room temperature. Point defect clusters and stacking faults are generated from low fluences (7×10$\text{}^{13}$ at/cm$\text{}^{2}$), their density increases with the fluence up to the formation of a highly disordered layer at the surface. This highly disordered layer is observed from a threshold fluence of 3×10$\text{}^{14}$ at/cm$\text{}^{2}$ at 150 keV and 3×10$\text{}^{15}$ at/cm$\text{}^{2}$ at 300 keV, and appears to be composed of voids and misoriented nanocrystallites. Its thickness rapidly increases with the fluence, and then saturates. Both basal and prismatic stacking faults were observed. Basal stacking faults are I$\text{}_{1}$ in majority, but E or I$\text{}_{2}$ have also been identified. I$\text{}_{1}$ basal stacking faults propagate easily through GaN by folding from basal to prismatic planes. Channelling implantation, increasing the implantation temperature from room temperature to 500ºC, or implanting through a 10 nm thick AlN cap reduce the crystallographic damage, particularly by retarding the formation of the highly disordered layer. Implanting through the AlN cap allows the highly disordered layer formation threshold fluence to be increased by one order of magnitude, as well as the annealing at high temperature (1300ºC) which brings about a strong optical activation of the rare earths.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 125-137
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Carrier Density Control by Illumination in Surface Doped, p-Type (Cd,Mn)Te Quantum Wells
    Autorzy:
    Maślana, W.
    Kossacki, P.
    Gaj, J. A.
    Ferrand, D.
    Bertolini, M.
    Tatarenko, S.
    Cibert, J.
    Kutrowski, M.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046939.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    78.67.De
    61.72.Vv
    Opis:
    We report both decrease and increase in the 2D carrier gas density in a simple (Cd,Mn)Te/(Cd,Mg)Te heterostructure with (Cd,Mn)Te quantum well. The two effects were achieved by light with different photon energies. The quantum wells were 10 nm wide with 2D hole gas supplied by surface states. For the sample with 25 nm cap layer thickness, it was possible to tune the hole gas concentration from almost empty well (hole density below 1×10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$) to 45×10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$. The illumination with 425 nm wavelength almost doubled the hole gas density from the initial 24×10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$. The depletion mechanism was most effective for illumination with the orange (575 nm) light.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 255-262
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies