Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jasiński, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Ultrafast Carrier Trapping and High Resistivity of MeV Energy Ion Implanted GaAs
Autorzy:
Korona, K. P.
Jasiński, J.
Kurpiewski, A.
Kamińska, M.
Jagadish, C.
Tan, H. H.
Krotkus, A.
Marcinkevicius, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1951117.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
72.20.Jv
72.80.Ey
Opis:
Semi-insulating GaAs wafers were implanted with MeV As, Ga, O or Si ions at doses ranging from 1×10$\text{}^{14}$ to 5×10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-2}$. Their structural properties were studied by electron microscopy and the Rutherford backscattering-channeling. Time resolved photoluminescence, electrical conductivity and the Hall effect were used to determine carrier lifetime and electrical properties of the material. Annealing of the samples at 600°C led to the recovery of transport in conduction band. The As, Ga and O implanted samples became semi-insulating, while the Si implanted samples were n-type. Carrier trapping times were short, shorter than 1 ps for the highest dose used. Models explaining the fast photocarrier decay are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 851-854
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies