Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "85.40.Ry" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Experimental characterization of antimony dopant in silicon substrate
Autorzy:
Serrar, H.
Labbani, R.
Benazzouz, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1065353.pdf
Data publikacji:
2016-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.U-
68.55.Ln
85.40.Ry
Opis:
Ion implantation is a method largely used to fabricate shallow junctions in the surface target. However, the ions are randomly redistributed and a huge damage is generated in the sample. Annealing treatments are thus necessary to restore defects and to activate the dopant. Among several elements, antimony is particularly attractive since it has low diffusivity in silicon which means that is suitable to obtain ultra shallow junctions. Moreover, antimony is attractive in many applications such as the fabrication of transistors and infrared detectors. In this work, the electrical activation of antimony is studied in case of silicon target.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 1; 51-54
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies