Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "γ-irradiation" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Revealing the Defects Introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ Irradiation and High Temperature-High Pressure Treatment
Autorzy:
Wieteska, K.
Misiuk, A.
Prujszczyk, M.
Wierzchowski, W.
Surma, B.
Bąk-Misiuk, J.
Romanowski, P.
Shalimov, A.
Capan, I.
Yang, D.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812256.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.c-
61.72.-y
61.82.-d
Opis:
Effect of processing under high hydrostatic pressure (= 1.1 GPa), applied at 1270 K, on Czochralski grown silicon with interstitial oxygen content $(c_O)$ up to $1.1×10^{18} cm^{-3}$, admixed with N or Ge (Si-N, c_N ≤ $1.2×10^{15} cm^{-3}$, or Si-Ge, $c_{Ge} ≈ 7×10^{17} cm^{-3}$, respectively), pre-annealed at up to 1400 K and next irradiated withγ-rays (dose, D up to 2530 Mrad, at energy E = 1.2 MeV), was investigated by high resolution X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, and synchrotron topography. Processing of γ-irradiated Si-N and Si-Ge under high pressure leads to stimulated precipitation of oxygen at the nucleation sites created by irradiation. It means that radiation history of Si-N and Si-Ge can be revealed by appropriate high temperature-high pressure processing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 439-446
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies