Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Borysiuk, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Properties of GaN Nanocolumns Grown by Plasma - Assisted MBE on Si (111) Substrates
Autorzy:
Zytkiewicz, Z.
Dluzewski, P.
Borysiuk, J.
Sobanska, M.
Klosek, K.
Witkowski, B.
Setkiewicz, M.
Pustelny, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492480.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
81.05.Dz
61.46.Km
Opis:
We report on growth of GaN nanocolumns by plasma assisted MBE on (111) silicon substrates and on their characterization. The nanocolumns nucleate on the substrate spontaneously without use of any catalyst, probably by the Volmer-Weber mechanism. Transmission electron microscopy analysis shows high crystalline quality of GaN nanocolumns and their good alignment with the c-axis being perpendicular to the substrate. Preliminary results on use of GaN nanocolumns in gas sensor devices are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-015-A-016
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies