Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Boyer." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Study of Silicon Nanocrystals Formation in Annealed Amorphous In Situ Nitrogen Doped Silicon Thin Films Obtained by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
Autorzy:
Bouridah, H.
Haoues, H.
Beghoul, M.
Mansour, F.
Remmouche, R.
Temple-Boyer, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1490976.pdf
Data publikacji:
2012-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.ag
68.55.J-
61.46.Hk
81.07.Bc
Opis:
In this work, we investigate the formation of silicon nanocrystals in annealed low pressure chemical vapor deposition in situ nitrogen doped silicon thin films $(SiN_x)$ obtained at low temperature (465°C) by using a mixture of disilane $(Si_2H_6)$ and ammonia $(NH_3)$. Results show that nitrogen content in films plays an important role in defining the obtained films morphology in terms of crystallites sizes and their distribution. Indeed, according to the nitrogen content introduced in films, the crystalline state of films varies from a submicron crystalline structure to a nanocrystalline structure. An average silicon nanocrystalline size of 10 nm was obtained for film with x = 0.07 nitrogen content, annealed under a temperature of 850C during 2 h.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 1; 175-177
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies