Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "61.10.-i" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
X-Ray and Electron-Optical Characterization of ZnSe(Co) Crystal with Natural Face
Autorzy:
Auleytner, J.
Domagała, J.
Gołacki, Z.
Pawłowska, M.
Pełka, J.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929340.pdf
Data publikacji:
1993-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.14.Hg
61.16.Bg
Opis:
Using complementary X-ray and electron-optical methods, a ZnSe(Co) crystal with natural face was investigated. X-ray diffraction methods such as double-crystal X-ray reflection topography, double-crystal diffractometry for rocking curve measurements, precise lattice constant measurements by the Bond technique were used for crystal structure characterization and X-ray fluorescence method for studies of chemical composition along the crystal. The scanning electron microscopic image of the crystal surface and reflection diffraction of the high-energy electrons enriched the crystal structure characterization. It was shown that X-ray characterization and reflection high-energy electron diffraction can be regarded as very important complementary tools for non-destructive investigation of the ZnSe(Co) crystal surface layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 6; 759-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray and Electron-Optical Characterization of ZnTe/CdTe and ZnTe/GaAs Epitaxial Layers Obtained by the MBE Method
Autorzy:
Auleytner, J.
Dziuba, Z.
Górecka, J.
Pełka, J.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931657.pdf
Data publikacji:
1994-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.14.Hg
61.10.-i
68.55.-a
Opis:
X-ray diffraction topography (Bragg diffraction) and X-ray rocking curve measurements were used to study the perfection and structural properties of ZnTe epitaxial layers on the CdTe and GaAs substrates. ZnTe epitaxial layers on CdTe were grown by MBE method by using a machine made in the Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences. The ZnTe layers on GaAs were produced on the other, factory-made MBE system. The comparison between the X-ray topographical images of the substrate and epitaxial layer shows that imperfections on the substrate surface cause imperfections in the epitaxial layer. The results of double-crystal diffractometry measurements show that the perfection of the layer on the GaAs substrate is higher than that on the CdTe. The presence of microtwining in the ZnTe layer on the CdTe substrate was confirmed by RHEED measurements. The X-ray standing wave fluorescent spectra were also measured for the samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 567-574
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies