Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "R.I." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    The moment series expansion for quasicrystal with phason disorder
    Autorzy:
    Buganski, I.
    Strzalka, R.
    Wolny, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1112682.pdf
    Data publikacji:
    2016-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.44.Br
    61.05.cp
    61.43.-j
    Opis:
    The novel method for structural analysis of quasicrystals with phason flips is presented. The correction for diffraction peaks' intensities can be made within average unit cell approach by modification of the statistical distribution of atomic positions. Characteristic function of the distribution expanded into moment series, involving only even moments, estimates the envelope function and therefore the flip ratio can be evaluated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 833-835
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Mössbauer and X-Ray Studies οf the Spinel Ferrites $Cu_{0.5}Fe_{0.5}Cr_2Se_4$ and $Cu_{0.2}Fe_{0.8}Cr_2Se_4$ Prepared by the Ceramic Method
    Autorzy:
    Maciążek, E.
    Hanc, A.
    Sitko, R.
    Zawisza, B.
    Jendrzejewska, I.
    Mrzigod, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811603.pdf
    Data publikacji:
    2008-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    61.66.Fn
    82.80.Ej
    75.50.Gg
    Opis:
    Seleno-spinels with nominal chemical composition $Cu_{0.5}Fe_{0.5}Cr_2Se_4$ and $Cu_{0.2}Fe_{0.8}Cr_2Se_4$ were prepared as polycrystalline samples using ceramic method. The assumed composition was verified by wavelength-dispersive X-ray fluorescence spectrometry. The X-ray analysis was carried out in order to make phase analysis and to compare its results with those obtained with the Mössbauer spectroscopy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6; 1599-1603
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ti-Al-N MAX Phase a Candidate for Ohmic Contacts to n-GaN
    Autorzy:
    Borysiewicz, M.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Pasternak, I.
    Jakieła, R.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811915.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    68.49.Sf
    68.55.ag
    81.40.Ef
    Opis:
    Fabrication of a Ti₂AlN MAX phase for contact applications to GaN-based devices is reported. Sample characterisation was done by means of X-ray diffraction and secondary ion mass spectroscopy. Successful Ti₂AlN monocrystalline growth was observed on GaN and Al₂O₃ substrates by annealing sputter-deposited Ti, Al and TiN layers in Ar flow at 600°C. The phase was not seen to grow when the layers were deposited on Si (111) or when the first layer on the substrate was TiN. N-type GaN samples with Ti₂AlN layers showed ohmic behaviour with contact resistivities in the range 10¯⁴ Ωcm².
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1061-1066
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Phase Transformations in Pyrochlores Irradiated with Swift Heavy Ions: Influence of Composition and Chemical Bonding
    Autorzy:
    Sattonnay, G.
    Thomé, L.
    Sellami, N.
    Monnet, I.
    Grygiel, C.
    Legros, C.
    Tetot, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400452.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.-x
    61.82.Ms
    61.05.cp
    05.10.-a
    Opis:
    $Gd_2Ti_2O_7$ and $Gd_2Zr_2O_7$ pyrochlores were irradiated with swift heavy ions in order to investigate the effects of the chemical composition on the structural changes induced by high electronic excitation. The XRD results show that the structural modifications induced by irradiation with 93 MeV Xe ions are strongly dependent on the sample composition: $Gd_2Ti_2O_7$ is readily amorphized, whereas $Gd_2Zr_2O_7$ is transformed into a radiation-resistant anion-deficient fluorite structure. Atomistic simulations with the second-moment tight-binding QEq model allow us to calculate the lattice properties of both $Gd_2Ti_2O_7$ and $Gd_2Zr_2O_7$, and also to quantify the degree of covalency and ionicity in these compounds. These calculations clearly show that $Gd_2Ti_2O_7$ is more covalent than $Gd_2Zr_2O_7$, thus confirming that the amorphization resistance can be related to the covalent character of insulators.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 862-866
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
    Autorzy:
    Borysiewicz, M. A.
    Pasternak, I.
    Dynowska, E.
    Jakieła, R.
    Kolkovski, V.
    Dużyńska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Dz
    81.15.Cd
    61.05.cp
    68.37.Hk
    68.37.Ps
    68.49.Sf
    78.55.Et
    Opis:
    ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Crystalline Structures of Some High Entropy Alloys Obtained by Neutron and X-Ray Diffraction
    Autorzy:
    Dahlborg, U.
    Cornide, J.
    Calvo-Dahlborg, M.
    Hansen, T.
    Leong, Z.
    Asensio Dominguez, L.
    Chambreland, S.
    Cunliffe, A.
    Goodall, R.
    Todd, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402077.pdf
    Data publikacji:
    2015-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    61.05.fm
    61.66.Dk
    Opis:
    The understanding of the structure and the stability of high entropy alloys is still incomplete and the mechanisms behind the composition-property relationships are unclear. One reason is that few systematic and accurate determinations of their composition-dependent structure on atomic level have been made. In this paper some results on the structure obtained by X-ray and neutron diffraction of the CoCrFeNi alloy, to which Pd, Sn and Cu have been added in different amounts, are reported. The investigations make it obvious that none of the alloys is completely homogeneous, as has earlier been suggested, and that they do not form a perfect solid solution.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 4; 552-556
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies