Autor: Pasternak, A. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
Autorzy:: Borysiewicz, M. A.
Pasternak, I.
Dynowska, E.
Jakieła, R.
Kolkovski, V.
Dużyńska, A.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
Data publikacji:: 2011-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Dz
81.15.Cd
61.05.cp
68.37.Hk
68.37.Ps
68.49.Sf
78.55.Et
Opis:: ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Ti-Al-N MAX Phase a Candidate for Ohmic Contacts to n-GaN
Autorzy:: Borysiewicz, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Pasternak, I.
Jakieła, R.
Dynowska, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1811915.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.05.cp
68.49.Sf
68.55.ag
81.40.Ef
Opis:: Fabrication of a Ti₂AlN MAX phase for contact applications to GaN-based devices is reported. Sample characterisation was done by means of X-ray diffraction and secondary ion mass spectroscopy. Successful Ti₂AlN monocrystalline growth was observed on GaN and Al₂O₃ substrates by annealing sputter-deposited Ti, Al and TiN layers in Ar flow at 600°C. The phase was not seen to grow when the layers were deposited on Si (111) or when the first layer on the substrate was TiN. N-type GaN samples with Ti₂AlN layers showed ohmic behaviour with contact resistivities in the range 10¯⁴ Ωcm².
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1061-1066
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja