Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Domagała, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
High-Resolution X-Ray Diffraction Studies on MBE-Grown p-ZnTe/n-CdTe Heterojunctions for Solar Cell Applications
Autorzy:
Wichrowska, K.
Domagala, J.
Wosinski, T.
Chusnutdinow, S.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1375736.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
81.05.Dz
81.15.Hi
88.40.jm
Opis:
High-resolution X-ray diffractometer was used to study structural quality, lattice parameters and misfit strain in p-ZnTe/n-CdTe heterojunctions grown by the molecular-beam epitaxy technique on two different (001)-oriented substrates of GaAs and CdTe. The X-ray diffractometer results indicate that the CdTe layers, grown on lattice mismatched GaAs substrate, are partially relaxed, by the formation of misfit dislocations at the interface, and display residual vertical strain of the order of $10^{-4}$. The presence of threading dislocations in the layers effectively limits the efficiency of solar energy conversion in the investigated heterojunctions. Homoepitaxially grown CdTe layers, of much better structural quality, display unexpected compressive strain in the layers and the relaxed lattice parameter larger than that of the substrate. Possible reasons for the formation of that unusual strain are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of misfit strain in (Ga,Mn)(Bi,As) epitaxial layers on their magnetic and magneto-transport properties
Autorzy:
Levchenko, K.
Andrearczyk, T.
Domagała, J.
Sadowski, J.
Kowalczyk, L.
Szot, M.
Figielski, T.
Wosiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1160667.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
61.05.cp
78.20.Ls
73.50.Jt
75.30.Gw
Opis:
Effect of misfit strain in the layers of (Ga,Mn)(Bi,As) quaternary diluted magnetic semiconductor, epitaxially grown on either GaAs substrate or (In,Ga)As buffer, on their magnetic and magneto-transport properties has been investigated. High-resolution X-ray diffraction, applied to characterize the structural quality and misfit strain in the layers, proved that the layers were fully strained to the GaAs substrate or (In,Ga)As buffer under compressive or tensile strain, respectively. Ferromagnetic Curie temperature and magneto-crystalline anisotropy of the layers have been examined by using magneto-optical Kerr effect magnetometry and low-temperature magneto-transport measurements. Post-growth annealing treatment of the layers has been shown to enhance the hole concentration and the Curie temperature in the layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-90-A-93
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Structure of High-Temperature-Grown GaMnSb/GaSb
Autorzy:
Romanowski, P.
Bak-Misiuk, J.
Dynowska, E.
Domagala, J.
Sadowski, J.
Wojciechowski, T.
Barcz, A.
Jakiela, R.
Caliebe, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1539009.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.05.cp
68.37.Hk
68.49.Sf
68.55.ag
68.55.Ln
Opis:
GaMnSb/GaSb(100) layers with embedded MnSb inclusions have been grown at 720 K using MBE technique. This paper presents the investigation of the defect structure of $Ga_{1-x}Mn_{x}Sb$ layers with different content of manganese (up to x = 0.07). X-ray diffraction method using conventional and synchrotron radiation was applied. Dimensions and shapes of inclusions were detected by scanning electron microscopy. Depth profiles of elements were measured using secondary ion mass spectroscopy technique.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 341-343
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Dużyńska, A.
Domagala, J.
Witkowski, B.
Krajewski, T.
Przeździecka, E.
Guziewicz, M.
Wierzbicka, A.
Kopalko, K.
Figge, S.
Hommel, D.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Aa
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies