Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Romanowski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Optical Study of SrLaGaO$\text{}_{4}$ and SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$ Doped with Nd$\text{}^{3+}$ and Yb$\text{}^{3+}$
    Autorzy:
    Ryba-Romanowski, W.
    Gołąb, S.
    Pisarski, W.
    Dominiak-Dzik, G.
    Gloubokov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945654.pdf
    Data publikacji:
    1996-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    42.70.Hj
    Opis:
    Single crystals of SrLaGaO$\text{}_{4}$ and SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$ singly doped with Nd and codoped with Nd and Yb have been grown by the Czochralski method. Both the compounds form tetragonal crystals but belong to different space groups. A common feature of these matrices is a structural disorder resulting from statistical distribution of Sr$\text{}^{2+}$ and La$\text{}^{3+}$ ions over the lattice sites. A previous investigation of a laser diode pumped SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$:Nd laser revealed that inhomogeneous broadening of spectral lines of Nd$\text{}^{3+}$ was advantageous for optical pumping and did not influence adversely the extraction efficiency. The present paper deals mainly with optical properties of Yb$\text{}^{3+}$ ions which are of interest for the design of lasers pumped by a diode laser and operating near 1 μm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 2; 399-405
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Czochralski Growth and Optical Properties οf $(Lu_{x}Gd_{1-x})_2SiO_5$ Solid Solution Crystals Single Doped with $Sm^{3+}$ and $~Dy^{3+}$
    Autorzy:
    Ryba-Romanowski, W.
    Strzęp, A.
    Głowacki, M.
    Lisiecki, R.
    Solarz, P.
    Domagala, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399472.pdf
    Data publikacji:
    2013-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Rz
    42.70.Hj
    78.40.-q
    78.55.Fv
    Opis:
    Solid solution crystals $(Lu_{x}Gd_{1-x})_2SiO_5$ single doped with $Sm^{3+}$ and $Dy^{3+}$ were grown by the Czochralski method. Segregation coefficients Lu/Gd, melting temperatures and structures of solid solution crystals were determined for 0.15 ≤ x ≤ 0.8. It was found that for x ≥ 0.17 the crystals belong to the monoclinic system within a space group C2/c and their melting temperature diminishes monotonously from 1990C to 1780C when x decreases from 0.8 to 0.15. Disparity of ionic radii of $Lu^{3+}$ and $Gd^{3+}$ induces structural disorder that brings about an inhomogeneous broadening of spectral lines in absorption and emission spectra of incorporated luminescent $Sm^{3+}$ and $Dy^{3+}$ ions. Optical properties of obtained crystals were determined based on results of measurement of absorption and emission spectra and luminescence decay curves. Spectroscopic investigation revealed that $Sm^{3+}$ doped crystals show intense emission distributed in the visible-near infrared region with the most intense band centred at 605 nm and characterized by a branching ratio of 0.43. Emission spectrum of $Dy^{3+}$ doped crystals is dominated by a band centred at 575 nm and characterized by a branching ratio of 0.58. It has been concluded that the systems under study are potential laser materials able to generate visible emission upon GaN/InGaN laser diode pumping.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 321-328
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation of As Grown and Induced Structural Defects in SrLaXO$\text{}_{4}$ (x = Al, Ga) Crystals
    Autorzy:
    Ryba-Romanowski, W.
    Gołąb, S.
    Dereń, P.
    Dominiak-Dzik, G.
    Pisarski, W.
    Gloubokov, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1964366.pdf
    Data publikacji:
    1997-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Hx
    42.70.Hj
    Opis:
    SrLaGaO$\text{}_{4}$ and SrLaAlO$\text{}_{4}$ substrates grown by the Czochralski method have no twins or subgrains however they show strong tendency to form point defects. The nature of these defects is not well understood yet. They may be associated with deviations from stoichiometry andor oxygen atoms located in the interstitial positions. Virtually all title crystals grown by the Czochralski method display various colours from light green to deeply red owing to light absorption by point defects. Absorption centres appear to be very stable in time and resistant to usual thermal treatment. UV excitation increases the density of defects and gives rise to strong photoluminescence, otherwise too weak to be observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 1; 191-196
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies