Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Šliužienė, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Growth and Investigation of Oxide Heterostructures Based on Half-Metallic Fe$\text{}_{3}$O$\text{}_{4}$
Autorzy:
Vengalis, B.
Šliužienė, K.
Lisauskas, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038160.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Gk
75.47.Lx
07.57.Kp
Opis:
We report thin films of ferromagnetic Fe$\text{}_{3}$O$\text{}_{4}$ (magnetite) grown by a reactive magnetron sputtering at T=300÷450°C on lattice-matched MgO, and bilayer structures composed of Fe$\text{}_{3}$O$\text{}_{4}$ and underlying epitaxial films of highly conductive electron-doped In$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$〈Sn〉, LaNiO$\text{}_{3}$, and antiferromagnetic CoO. The prepared Fe3O4/MgO films and the bilayer structures demonstrated clearly defined resistance anomaly at Verwey transition point (T$\text{}_{V}$≈100-120 K). Formation of high resistance interlayer was indicated between the adjacent conducting Fe3O4 and LaNiO3 layers. However, relatively low interface resistivity of about 0.1 Ω cm$\text{}^{2}$ (at T=300 K) was estimated for the patterned Fe3O4/In2O3〈Sn〉 bilayer structures. Vertical electrical transport measurements revealed strong nonlinearity in the I-U dependences of the Fe3O4/In2O3 〈Sn〉 interface at T
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 659-665
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies