Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Janavičius, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Investigation of Compound Relaxation Processes in Crystal Lattice Dynamics of Si Irradiated by Soft X-rays
Autorzy:
Janavičius, A. J.
Purlys, R
Norgėla, Ž
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044634.pdf
Data publikacji:
2006-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.-y
61.72.Dd
05.50.+q
Opis:
We applied soft X-rays for investigation of dynamics of Frenkel point defects in a Si crystal during its saturation with metastable vacancies with neighboring Si atoms in excited states or vacancies with neighboring Si atoms in interstitial states produced in the lattice after ejection of Auger electrons. The irradiated irregularities and defects of the lattice cause a change of Bragg reflection maxima. Several resonance phenomena related to the metastable states introduced into Si crystal by soft X-rays irradiation have been detected.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 109, 2; 159-170
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Crystal Lattice and Carriers Hall Mobility Relaxation Processes in Si Crystal Irradiated by Soft X-rays
Autorzy:
Janavičius, A. J.
Storasta, J.
Purlys, R.
Mekys, A.
Balakauskas, S.
Norgėla, Ž.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047360.pdf
Data publikacji:
2007-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.-y
61.72.Dd
05.50.+q
Opis:
We applied soft X-rays for investigation of dynamics of the Frenkel point defects in a Si crystal during its saturation with metastable vacancies with neighboring Si atoms in excited states produced in the lattice after ejection of the Auger electrons. The irradiated irregularities and defects of the lattice cause a change of the Bragg reflection maxima. Several resonance phenomena are related to metastable states introduced into Si crystal by soft X-rays irradiation. The resonance of mean square displacements of Si atoms in the lattice and the resonance of the Hall mobility after irradiation are obtained and considered.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 1; 55-68
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies