Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "thermal power" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Thermal Characterization of High-Frequency Flyback Power Transformer
    Autorzy:
    Kasikowski, R.
    Gołaszewski, J.
    Więcek, B.
    Farrer, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/114581.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    IR thermography
    power losses
    H-F flyback transformer
    thermal impedance
    Opis:
    This paper presents preliminary thermographic measurements and a simple thermal analysis of power losses in high-frequency (H-F) transformers used in AC-DC power converters. The analysis is based on complex thermal impedance and time constant distribution. The main aim of this research was to consider quantitatively the contribution of different power losses in the H-F transformer, including fringing flux effect.
    Źródło:
    Measurement Automation Monitoring; 2015, 61, 6; 237-241
    2450-2855
    Pojawia się w:
    Measurement Automation Monitoring
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
    An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/152727.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    parametry termiczne
    rezystancja termiczna
    przejściowa impedancja termiczna
    półprzewodnikowe przyrządy mocy
    thermal parameters
    thermal resistance
    transient thermal impedance
    semiconductor power devices
    Opis:
    W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
    Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 12, 12; 1150-1153
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych
    Application of the pirometric methods for the thermal resistance of power transistors measurements
    Autorzy:
    Górecki, K.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/157592.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pomiary rezystancji termicznej tranzystorów
    metody pirometryczne
    application of pirometric methods
    thermal resistance
    power transmitors measurements
    Opis:
    Praca dotyczy pomiarórw rezystancji termicznej wybranych tranzystorów mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Zamieszczono szereg wyników pomiarów tego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie, uzyskanych przy zastosowaniu różnych radiatorów obudów i orientacji przestrzennej badanych tranzystorów. Zbadano również nierównomierność przestrzennego rozkładu temperatury w badanej strukturze.
    In this paper the problem of measurements of the thermal resistance (Rth) of the selected power transistors with the use of the pirometric method is considered. The measuremental results Rth of bipolar transistors 2N3055 and MOS transistors IRF840 for the dissipated power changing as well as for the various kinds of device cases the temperature distribution on the chip has been estimated.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2003, R. 49, nr 1, 1; 41-44
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of thermal impedance to inverse heat transfer modeling of power cables
    Zastosowanie impedancji termicznej do modelowania cieplnych problemów odwrotnych kabli energetycznych
    Autorzy:
    Więcek, B.
    Strąkowska, M.
    De Mey, G.
    Chatziathanasiou, V.
    Chatzipanagiotou, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/152880.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    IR thermography
    power cables
    thermal impedance
    Fourier analysis
    forward and inverse thermal modeling
    termografia w podczerwieni
    impedancja termiczna
    proste i odwrotne modelowania termiczne
    Opis:
    This paper presents the inverse heat transfer modeling in applications to the power cables. In order to simplify the calculations, the inverse modeling implements thermal simulations in frequency domain. Due to the cylindrical summery of the power cable, this model has an analytical solution, which simplifies using Bessel functions. The inverse model allows estimating the thermal parameters of the material the cable is made of. It can be used for defect detection and aging of the cable. The model was made in Matlab®, and compared with the results obtained from COMSOL® simulation software.
    W pracy przedstawiono zastosowanie modelowania cieplnych zjawisk odwrotnych do wyznaczania wartości parametrów termicznych kabli energetycznych. W procesie modelowania odwrotnego struktury wykorzystano model w dziedzinie częstotliwości, który dla struktury o symetrii cylindrycznej ma rozwiązanie analityczne przy użyciu funkcji Bessela. Model termiczny wraz z optymalizacją opracowano w programie Matlab®. Wyniki modelowania odwrotnego zweryfikowano rezultatami uzyskanymi z symulacji 3D wykonanych za pomocą oprogramowania COMSOL® oraz za pomocą danych pomiarowych, uzyskanych z kamery termowizyjnej. Opracowana metoda może być wykorzystana w praktyce do oceny stanu kabli energetycznych, ich zużycia, do wykrywania defektów związanych np. z korozją oraz do oszacowania warunków odprowadzania ciepła z kabli do otoczenia. W konsekwencji na podstawie wyników termowizyjnych można wyuczyć wartość impedancji termicznej kabla, co pozwoli oszacować maksymalną wartość temperatury w określonych warunkach pracy. Na obecnym etapie badań wykonano model kabla z litego materiału. Kolejnym krokiem będzie opracowanie modelu kabla wielowarstwowego, w tym z izolacją o małej przewodności cieplnej.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 9, 9; 946-949
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies