Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "rezystancja" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
The influence of assembly technology on exploitation parameters of power SSL-LEDs
Wpływ technologii montażu na parametry eksploatacyjne SSL LED-ów mocy
Autorzy:
Grzesiak, W.
Cież, M.
Koprowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192268.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
diody mocy LED
montaż
parametr eksploatacyjny
rezystancja termiczna
power SSL-LED
assembly technology
exploitation parameters
thermal resistance
Opis:
The SSL-LEDs (Solid State Lighting LEDs), often of several watts consumed unit power are generally fixed to a cooling substrate to increase the on LEDs' durability, reliability and light efficiency. The size, shape, cooling area and ventilating properties of the substrate, made mainly of aluminum or copper, have to be taken into account. The next problem is the thermal resistance minimizing between the LEDs body and the substrate. Here the out growth is the choice of a LEDs fixing method. The work deals with six fixing methods and reports their properties, achieved by reducing the thermal resistance between LED and the radiator's substrate. The first method consists in purely mechanical fixing by screws. The second is completed by a silicon film. The third one utilizes a foil of excellent thermal resistivity, covered on both sides with an acrylic glue. The fourth simple method bases solely on of an acrylic glue. The fifth method consists in using a resin with aluminum powder and cured at room temperature. The last method makes use of a special silicon CAF-1 type glue. In all cases identical LEDs, radiators and applied powers were used and results compared.
Półprzewodnikowe diody mocy LED bywają mocowane zwykle do chłodzącego podłoża celem zwiększenia ich trwałości, niezawodności i sprawności. Rozmiary, kształt, powierzchnia chłodzenia i własności chłodzące podłoża, wykonanego zwykle z aluminium lub miedzi winny być starannie analizowane. Dalszym problemem jest rezystancja termiczna pomiędzy korpusem diody, a podłożem. Wiąże się ona ze sposobem jej mocowania. Praca omawia sześć metod mocowania i relacjonuje ich wpływ na rezystancję termiczną pomiędzy diodą a podłożem radiatorowym. Metoda pierwsza polega na czysto mechanicznym mocowaniu wkrętami. Druga wprowadza cienką warstewkę silikonu. Metoda trzecia stosuje folię o dobrej przewodności cieplnej, pokrytą obustronnie klejem akrylowym. Czwarta, prosta metoda bazuje wyłącznie na spoiwie akrylowym. Piąta metoda polega na sklejaniu żywicą zmieszaną z pyłem aluminiowym i utwardzaną w temperaturze pokojowej. Metoda szósta wykorzystuje specjalny klej silikonowy typu CAF-1. We wszystkich przypadkach użyto identycznych diod LED, radiatorów i aplikowanych mocy świecenia, a rezultaty prób przedstawiono i skomentowano.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 124-132
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resistive pressure sensors fabricated from polymer thick film composites containing carbon nanotubes
Rezystywne czujniki nacisku wytworzone z grubowarstwowych kompozytów polimerowych zawierających nanorurki węglowe
Autorzy:
Jakubowska, M.
Łukasik, M.
Młożniak, A.
Słoma, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192417.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
polimerowy nanokompozyt rezystywny
rezystancja stykowa
czujnik ciśnienia
nanorurki węglowe
technologia grubowarstwowa
resistive polymer nanocomposite
contact resistance
pressure sensors
carbon nanotubes
thick film technology
Opis:
Polymer composites with carbon nanotubes (CNT) are new group of materials with a broad possibilities of application perspectives in many branches of the industry. In presented papers authors are investigating properties of sensor structures used in pressure sensor systems with CNT layers fabricated using thick film technology. One of the main difficulties to overcome was preparation of polymer-nanotube composition sample. Composition of carbon nanotubes in PMMA-PBMA polymer resin was prepared by modified mixing process used in thick film material preparation. Sensor structure was fabricated by printing polymer-nanotube areas with polymer-silver paths as connection electrodes on polyester substrate foil. Four type of compositions with different content of CNT were prepared: 0.1%; 0.25%; 0.5%. For different CNT content in printed thick film layers, samples exhibited resistance was around 100 kΩ, 2 MΩ, 200 MΩ respectively. Dependence between sensor resistance and force tension is nearly linear and similar for all samples. Significant decrease of resistance under tension was observed, and changes in resistance were more symptomatic for samples with higher CNT content. Distinct time hysteresis was observed during resistance measurements.
Kompozyty polimerowe zawierające nanorurki węglowe (CNT) stanowią nową grupę materiałów o szerokim zakresie zastosowań w wielu gałęziach przemysłu. Poniższa publikacja zawiera wyniki badań nad właściwościami grubowarstwowych struktur polimerowych zawierających nanorurki węglowe zastosowanymi jako czujniki nacisku. Jednym z głównych trudności napotkanych przy wytwarzaniu struktur pomiarowych było wytworzenia polimerowo-nanorurkowej kompozycji grubowarstwowej. Przy zastosowaniu specjalnie dostosowanej techniki mieszania udało się wytworzyć kompozycję opartą o żywice PMMA-PBMA. Układ pomiarowy został naniesiony na podłoże polimerowe techniką sitodruku zarówno w przypadku polimerowo-nanorurkowych obszarów czujnika jak i polimerowo-srebrowych kontaktów pomiarowych. Do badań wykorzystano cztery rodzaje kompozycji zawierające odpowiednio 0.1%, 0.25% i 0.5% wagowo nanorurek które po nadrukowaniu wykazywały rezystancję ścieżek na poziomie 100 kΩ, 2 MΩ i 200 MΩ. Zależność pomiędzy zmianami siły nacisku a zmianami rezystancji okazała się niemal liniowa dla wszystkich próbek. Zaobserwowano znaczące zmiany w rezystancji pod wpływem siły nacisku które były bardziej znamienne dla próbek o dużej zawartości nanorurek. Zaobserwowano również histerezę zmian rezystancji dla wszystkich próbek.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 92-100
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Malag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192110.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
rezystancja termiczna
złącze p-n
pomiar termowizyjny
pomiar dynamiczny
charakterystyka spektralna
laser diode
thermal resistance
p-n junction
thermovision measurement
dynamics measurement
spectral characteristic
Opis:
W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 3-9
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies