- Tytuł:
-
Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method - Autorzy:
-
Brzozowski, A.
Sarnecki, J.
Lipiński, D.
Wodzińska, H. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192377.pdf
- Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
rezystywność
oporność rozpływu
krzem monokrystaliczny
warstwa epitaksjalna
resistivity
spreading resistance
monocrystalline silicon
epitaxial layer - Opis:
-
Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.
Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 20-26
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł