Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "dyfrakcja" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
    Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Wierzbicka, E.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Sathish, N.
    Pągowska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    implementacja jonowa
    dyfrakcja
    ion implantation
    diffraction
    Opis:
    W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
    In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
    Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Caban, P.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    ZnO monocrystal
    ion implantation
    radiation defect analysis
    wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
    monokryształ ZnO
    implantacja jonów
    analiza defektów radiacyjnych
    Opis:
    High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
    Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
    SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
    Autorzy:
    Stańczyk, B.
    Jagoda, A.
    Dobrzański, L.
    Caban, P.
    Możdżonek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiCN
    sputtering
    widmo podczerwieni
    widmo optycznej absorpcji
    dyfrakcja rentgenowska
    SIMS
    rf sputtering
    absorption spectrum
    IR spectrum
    X-ray diffraction
    Opis:
    Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
    Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Studies on sol-gel processes accompanying formation of the yttrium aluminum garnet nanocrystals
    Badanie procesów zol-żel zachodzących przy wytwarzaniu nanokrysztalicznych proszków granatu itrowo aluminiowego
    Autorzy:
    Loiko, E. M.
    Lipińska, L.
    Dobrowolski, J. C.
    Rzepka, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192134.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    wytwarzanie nanokrysztalicznych proszków granatu itrowo aluminiowego
    badanie procesów zol-żel
    analiza termiczna (ATD)
    dyfrakcja rentgenowska XRD
    spektroskopia w podczerwieni
    skaningowa mikroskopia elektronowa
    Opis:
    The sol-gel processes of YAG and YAG doped Nd are presented. The mechanism of YAG powders formation by sol-gel method is described. The gel is formed by reaction of inorganic salts or oxides Y, Al, Nd elements with acetic acid and ethylene glycol. Conditions of sol-gel processes in the range of temperature treatment from 100°C to 1000°C and mechanism of reactions are investigated using DTA, X-ray diffraction and infrared spectroscopic methods. Size, shape, and morphology of the surface of the YAG powders are characterized by scanning electron microscope. Finally one phase of YAG and yttrium substituted by neodymium up to 28% at. are found. At higher concentration of Nd (up to 100% at.) two phases of garnet and perovskite type are detected.
    Metodę zol-żel wykorzystano do otrzymywania nanokrystalicznych granatów YAG i YAG:Nd. Przedstawiono mechanizm powstawania proszków o krystalicznej strukturze granatu. Odpowiednie żele otrzymywano w reakcji nieorganicznych soli lub tlenków pierwiastków Y, Al, Nd z kwasem octowym i glikolem etylenowym. Poszczególne etapy procesu zol-żel oraz reakcje zachodzące podczas obróbki termicznej kserożeli w zakresie od 100°C do 1000°C badano metodami: analizy termicznej DTA, dyfrakcji rentgenowskiej XRD, oraz spektroskopii w podczerwieni IR. Rozmiar, kształt oraz morfologię powierzchni proszków charakteryzowano za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej SEM. Otrzymano jednofazowe proszki czystego granatu YAG i domieszkowanego neodymem w ilościach aż do 28%. Dla wyższych zawartości neodymu (do 100%) obserwowano występowanie dwóch faz - granatu i perowskitu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 3-4, 3-4; 74-88
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies