Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SAW" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Wyznaczenie wybranych parametrów piezoelektrycznych kryształu SrLaGa3O7
Determination of selected parameters in SrLaGa3O7 crystal
Autorzy:
Sadura, J.
Brzozowski, E.
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192102.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
kryształ SrLaGa3O7
akustyczna fala powierzchniowa (SAW)
SrLaGa3O7 crystal
surface acoustic wave (SAW)
Opis:
W pracy wyznaczono parametry piezoelektryczne monokryształu SrLaGa3O7 (SLGO) otrzymanego w ITME metodą Czochralskiego, należącego podobnie jak BaLaGa3O7 (BLGO) do grupy związków chemicznych opisanych ogólnym wzorem ABC3O7 (gdzie A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al ). Pomiary i obliczenia przeprowadzono dla różnych orientacji kryształu, lepsze właściwości piezoelektryczne (najwyższy współczynnik sprzężenia elektromechanicznego K2) wykazały płytki o orientacji 45°XZ oraz ZX40°. Przeprowadzone badania termiczne potwierdziły możliwość wykorzystania tego piezoelektryka jako podłoża podzespołu wysokotemperaturowego. Zastosowana metoda badawczo – pomiarowa pozwala na szybkie szacowanie parametrów kryształu, jak również jego przydatności jako materiału piezoelektrycznego do zastosowań w podzespołach z AFP.
This paper presents the piezoelectric properties of the SrLaGa3O7 (SLGO) crystal grown at ITME using the conventional RF-heating Czochralski method. SLGO, just like BaLaGa3O7 (BLGO), belongs to the group of compounds described by the general formula ABC3O7 (where A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al). Measurements and calculation of SAW parameters were made for different crystal plane orientations. Better piezoelectric parameters were found in 45°XZ and ZX40° orientations of SLGO. The thermal study confirmed the possibility of using this crystal as a high-temperature component base. The applied research and measurement method allows a quick estimation of the parameters of the crystal, as well as evaluation of its usefulness as a piezoelectric material for application in SAW components.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 3-8
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Czujnik lepkości cieczy z akustycznym modem płytowym na niebianie litu o orientacji YZ
Acoustic plate mode viscosity sensor on LiLbL3 YZ
Autorzy:
Wróbel, T.
Hechner, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192246.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
czujnik lepkości
powierzchniowa fala akustyczna
LiNbO3
viscosity sensor
SAW
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu lepkości akustycznej cieczy na własności wybranego akustycznego modu płytowego w niobianie litu o orientacji YZ, oraz konstrukcję i parametry czujnika lepkości cieczy.
Experimental results of the influence of liquid viscosity on the characteristics of acoustic plate mode (APM) on LiNbO3 YZ have been presented. The structure and parametres of an acoustic plate mode (APM) sensor for liquid viscosity measurement have been reported.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 3-7
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface acoustic wave low insertion loss delay line for applications in sensors
Linia opóźniająca z akustyczną falą powierzchniową o małej tłumienności wtrącenia do zastosowań w czujnikach
Autorzy:
Soluch, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192024.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
delay line
insertion loss
LiNbO3
surface acoustic wave (SAW)
linia opóźniająca
tłumienność wtrącenia
akustyczna fala powierzchniowa (AFP)
Opis:
It was shown that low insertion loss of a surface acoustic wave (SAW) delay line could be achieved when strong triple transit signals (TTS) are present. As an example, low insertion loss delay line on YZ LiNbO3, was developed. Double electrodes were used in interdigital transducers (IDTs) and in a screen. At a frequency of 62 MHz, insertion loss of about 8 dB, was obtained. Low insertion loss and narrow bandwidth make this SAW delay line attractive for applications in physical and gas sensors.
Wykazano, że mała tłumienność wtrącenia linii opóźniającej z akustyczną falą powierzchniową (AFP) jest możliwa do uzyskania, gdy występuje silny sygnał trzeciego echa (STE). Jako przykład, opracowana została linia opóźniająca na podłożu YZ LiNbO3. W przetwornikach międzypalczastych i w ekranie zastosowano podwójne elektrody. Na częstotliwości 62 MHz uzyskano tłumienność wtrącenia około 8 dB. Mała tłumienność wtrącenia i wąskie pasmo czynią tę linię atrakcyjną do zastosowań w czujnikach fizycznych i gazowych.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 1, 1; 4-6
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis
Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z
Autorzy:
Sadura, J.
Brzozowski, E.
Łysakowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192012.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
bulk GaN crystal
surface acoustic wave (SAW)
bulk acoustic wave (BAW)
acoustic plate mode (APM)
interdigital transducer (IDT)
SAW filter
objętościowy kryształ GaN
akustyczna fala powierzchniow (AFP)
akustyczna fala objętościowa (AFO)
akustyczny mod płytowy (AMP)
przetwornik międzypalczasty (PM)
filtr z AFP
Opis:
The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.
Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 4-6
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies