Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Graphene Oxide" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The influence of reducing agents on the reduced graphene oxide specific surface area determined on the basis of nitrogen adsorption isotherm
Wpływ substancji redukujących na wielkość powierzchni właściwej zredukowanego tlenku grafenu określoną na podstawie izotermy adsorpcji azotu
Autorzy:
Strachowski, T.
Woluntarski, M.
Djas, M.
Kowiorski, K.
Wiliński, Z.
Baran, M.
Jagiełło, J.
Winkowska, M.
Lipińska, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192062.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
graphene oxide (GO)
reduced graphene oxide (rGO)
specific surface area
adsorption
BET methods
tlenek grafenu (Go)
zredukowany tlenek grafenu (rGo)
powierzchnia właściwa
adsorpcja
metoda BET
Opis:
The most common way to determine the specific surface of materials is to utilise direct methods, such as the flow method and the adsorptive method with the implementation of the adsorption isotherm equations. In our work we used the Brunauer, Emmet and Teller (BET) equation for the nitrogen adsorption isotherm description. Our goal was to examine the influence of reducing agents on the specific surface area of reduced graphene oxide. Graphene oxide was reduced by thiourea dioxide, thiourea, ammonium thiosulfate and sodium hydrosulfite.
Do określania powierzchni właściwej materiałów najczęściej stosowane są metody bezpośrednie, takie jak metoda przepływowa oraz adsorpcyjna, w której wykorzystywane są równania izotermy adsorpcji. W naszej pracy do określenia powierzchni właściwej zredukowanego tlenku grafenu do opisu wyznaczonej izotermy adsorpcji azotu zastosowano równanie Brunauera, Emmeta i Tellera (BET). Celem niniejszej pracy było zbadanie wpływu substancji redukujących na wielkość powierzchni właściwej zredukowanego tlenku grafenu. Do badań użyto tlenku grafenu redukowanego dwutlenkiem tiomocznika, tiomocznikiem, tiosiarczanem amonu, oraz podsiarczynem sodu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2017, T. 45, nr 2-4, 2-4; 6-11
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tlenek grafenu jako pasywny modulator dobroci w laserze na ceramice Nd:YAG
Graphene oxide as passively Q - switched modulator for ceramic Nd:YAG laser
Autorzy:
Podniesiński, D.
Librant, K.
Kozłowska, A.
Nakielska, M.
Lipińska, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192371.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
grafen
tlenek grafenu
laser na ciele stałym
nasycalny absorber
graphene
graphene oxide
solid state laser
saturable absorber
Opis:
W artykule przedstawione zostały wyniki eksperymentów generacyjnych, w układzie lasera na ceramice Nd:YAG z pasywnym modulatorem dobroci zbudowanym na bazie tlenku grafenu. Opisano sposób przygotowania próbek tlenku grafenu na podłożu płytek szkła SiO2, zbudowane stanowisko lasera oraz sposób przeprowadzenia pomiarów. Badany tlenek grafenu, wytworzony w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych, wykazał właściwości nasycalnego absorbera. Zastosowanie tlenku grafenu o transmitancji w zakresie 80 ÷ 86 % pozwoliło uzyskać na wyjściu lasera generację impulsową o częstotliwości w zakresie 54 ÷ 250 kHz. Zarejestrowana maksymalna średnia moc wyjściowa lasera wynosiła Pśr = 330 mW.
This paper presents the results of generation experiments in the setup of a ceramic Nd: YAG laser with grapheme oxide as a passive Q - switched modulator. The preparation method of graphene oxide samples on the surface of SiO2 glass, the arrangement of the laser setup and the measurement method are also described. The studied graphene oxide produced at the Institute of Electronic Materials Technology showed the properties of a saturable absorber. The application of grapheme oxide with transmittance in the range of (80 - 86) % allowed the pulse laser operation in the frequency range of (54 - 250) kHz. The maximum recorded average output power of the laser was Pav = 330 mW.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 3, 3; 19-26
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies