Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "jakubowska, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Environmental friendly thick film resistors with wide resistance range
Ekologiczne grubowarstwowe rezystory o szerokim zakresie rezystancji
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Młożniak, A.
Jakubowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192316.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
RoHS
rezystor grubowarstwowy
ruten
ruthenium
thick film resistor
Opis:
This paper presents the results on investigation of lead-free and cadmium-free resistive paste compositions based on calcium ruthenate (CaRuO3) and ruthenium dioxide (RuO2), that sheet resistance exceeds 10 kΩ/q. Two regulations: Waste Electrical and Electronic Equipment Directive (WEEE), and Restriction of Hazardous Substances (RoHS) were established on July the 1 st 2006. They forced the electronics equipment producers to discontinue using lead, cadmium and a few other substances. The Surface Mounted Devices (SMD) resistors, that exist in almost every modern electronic device contain thick film resistive layer, according to new regulations cannot contain hazardous substances. The series of new RoHS compliant resistor pastes with resistance range 10 Ω/q - 10 kΩ/q were elaborated by the authors in 2007. The RuO2 was used as a functional component. However the consumers expect the resistor pastes with the sheet resistance in the range 10 Ω/q - 1 MΩ/q. Such a resistance range was available using old lead-containing glass and a functional phase containing bismuth ruthenate. However it is considered that such wide resistance range can not be obtained with the use of RuO2 and lead-free glasses. Therefore the authors decided to use calcium ruthenate that exhibits higher resistivity than RuO2. The authors used successfully some lead-free glasses that were compatible with ruthenium dioxide as well as investigated completely new glass compositions. The use of CaRuO3 instead of RuO2 in the same lead-free glass increased the obtained sheet resistance about 500 times with no negative impact on Temperature Coefficient of Resistance (TCR). No humidity sensitivity was observed. The resistors' SEM surface and fractures was taken. The length effect on TCR was measured.
Autorzy zaprezentowali wyniki badań rezystorów wolnych od ołowiu i kadmu opartych na rutenianie bizmutu (CaRuO3) i dwutlenku rutenu (RuO2), o rezystancjach przekraczających 10 kΩ/Q. Począwszy od l lipca 2006 roku zgodnie z unijnymi uregulowaniami prawnymi WEEE (Waste Electrical and Electronic Equipment Directive) i RoHS (Restriction of Hazardous Substances) stosowanie ołowiu i kadmu w układach elektronicznych zostało ograniczone. Zakaz ten obejmuje pasty rezystywne szeroko stosowane w elektronice m.in. w elementach do montażu powierzchniowego (SMD). Autorzy w 2007 r. zaproponowali serię past rezystywnych o zakresie rezystancji 10 Ω/Q - 10 kΩ/Q. Pasty bazowały na dwutlenku rutenu i nie zawierały w swoim składzie ani ołowiu ani kadmu. Tym niemniej konsumenci oczekują pełnego zakresu rezystancji 10 Ω/Q - l MΩ/Q. Uzyskanie takich wartości było możliwe poprzez zastosowanie w pastach rezystywnych szkliw ołowiowych oraz fazy przewodzącej rutenianu bizmutu. Jednakże uzyskanie tych rezultatów przy zastosowanie szkliw bezołowiowych oraz dwutlenku rutenu nie jest możliwe. Z tego powodu autorzy postanowili zastosować rutenian wapnia w roli fazy przewodzącej, który ma wyższą rezystywność od dwutlenku rutenu. Autorzy uzyskali dobre rezultaty używając niektórych szkliw bezołowiowych, które dotychczas się sprawdziły w połączeniu z dwutlenkiem rutenu jak również zaproponowali zupełnie nowe kompozycje szkliw. Zastosowanie CaRuO3 zamiast RuO2 wraz z jednym ze szkliw zaowocowało uzyskaniem 500 razy wyższej rezystancji bez wpływu na TWR.. Nie zaobserwowano wpływu wilgoci na właściwości warstw rezystywnych. Obserwowano przełomy i powierzchnie warstw rezystywnych techniką SEM, jak również zbadano wpływ długości na właściwości rezystorów.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 85-94
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowa generacja past rezystywnych nie zawierających ołowiu i kadmu spełniających dyrektywę RoHS
The new generation of lead-free and cadmium- free resistive pastes in acordance with RoHS directive
Autorzy:
Młożniak, A.
Jakubowska, M.
Kiełbasiński, K.
Zwierkowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192125.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
nowa generacja past rezystywnych
dyrektywa RoHS
technologia rodziny past rezystywnych
new generation of lead-free and cadmium- free resistive pastes
RoHS directive
Opis:
Przedstawiono wyniki badań prowadzące do opracowania technologii rodziny past rezystywnych nie zawierających ołowiu i kadmu oraz spełniających wymogi Unii Europejskiej WEEE i uchwały RoHS. Pokazano wpływ kompozycji pasty na główne właściwości rezystów właściwych, przede wszystkim mikrostrukturę, rezystancję i temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR).
The paper presents the results of author's investigations to elaborate lead-free/ cadmium-free resistive paste series in accordance with European Union WEEE and RoHS Directive. Influence of paste composition on the electrical properties of thick film resistors, like microstructure, sheet resistance and temperature coefficient of resistance (TCR) are demonstrated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie właściwości szkliw pod kątem zastosowań w grubowarstwowych mikrorezystorach fotoformowalnych
Investigation of glasses for application in thick-film photoimageable microresistors
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Zwierkowska, E.
Achmatowicz, S.
Młożniak, A.
Jakubowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192210.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
napięcie powierzchniowe szkliwa
grubowarstwowe mikrorezystory fotoformowalne
thick film photoimageable microresistors resitors
glass surface tension
Opis:
W artykule wyjaśniono wpływ lepkości i napięcia powierzchniowego szkliwa w temperaturze wypalania na kształt ścieżek o szerokości kilku dziesiątek mikrometrów otrzymanych za pomocą nowoczesnych metod takich jak fotoformowanie. Opracowanie w głównej mierze dotyczy mikrorezystorów z powodu znacznej zawartości w nich szkliwa. Opisano problemy występujące w fotoformowalnych pastach światłoczułych, związane z ich nadmiernym rozpływem i wyciekiem szkliwa. Zaproponowano rozwiązanie tych problemów przez zastosowanie szkliw o wysokim napięciu powierzchniowym co pociąga za sobą dużą wartość kąta zwilżania podłoża. Przedstawiono metodę pomiaru kąta zwilżania, którą zastosowano do oceny kilku szkliw opracowanych w ITME. Następnie obliczono teoretyczną szerokość mikrorezystorów po wypaleniu. Stwierdzono, że szkliwa bezołowiowe zastosowane do mikrorezystorów są znacznie mniej podatne na rozpływ podczas wypalania niż szkliwa zawierające tlenek ołowiu, zatem są preferowane do mikrorezystorów.
This paper examines the theoretical influence of certain properties of glass exhibited at a firing temperature, like viscosity and surface tension, on the shape of a few tens of microns wide lines, which can be obtained in a state-of-the-art thick film fabrication process i.e. photoimaging. Resistive lines are the main focus of attention because of their high glass content. The major disadvantages of experimental microresistors, like glass bleeding and excessive reflow, are discussed. Solutions to these problems, including glass with a high surface tension and, in consequence, a high wetting angle, are proposed. An experimental method of measuring the wetting angle, which was used to assess the quality of various glasses analyzed at ITME, is shown. The results have proved that lead-free glasses are less affected by excessive reflow than their lead oxide containing counterparts, and therefore are more suitable for microresistors.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 10-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stabilność wysokotemperaturowa ekologicznych rezystorów grubowarstwowych
High temperature stability of eco-friendly thick-film resistors
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Szałapak, J.
Krzemiński, J.
Młożniak, A.
Jakubowska, M.
Szostak, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192252.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
rezystory bezołowiowe
stabilność wysokotemperaturowa
lead-free resistors
high temperature stability
Opis:
W związku z Dyrektywą RoHS, która weszła w życie w 2006 roku producenci materiałów elektronicznych zostali zmuszeni do wyeliminowania m.in. ołowiu i jego związków ze składów tych materiałów. Dyrektywa wymusiła zmianę składu past służących do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych szeroko rozpowszechnionych w konsumenckim sprzęcie elektronicznym. Autorzy zaproponowali nowatorskie pasty rezystywne zdolne w pełni zastąpić pasty oparte o ołów i jego związki. Ponadto zostały przeprowadzone badania odporności na narażenia termiczno-prądowe, które ujawniły przewagę użytkową w aspektach stabilności rezystancji na cykliczne narażenia temperaturowe nowych past wobec past tradycyjnych.
Under the EU directive on the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) implemented in 2006, producers of electronics materials were obliged to eliminate lead and its compounds from the compsition of their products. As a consequence of this directive the changes affected the compositions of pastes used in the production of thick-film resistors, widely used in mass electronics. The authors have developed new compositions for the resistive thick film pastes, to replace the ones based on lead. Moreover, the thermal and electrical studies showed the advantage of the new ompositions over the traditional ones in terms of resistance stability under temperature cyclic test.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 2, 2; 17-26
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Laserowa korekcja kompozytowych rezystorów grubowarstwowych opartych na nanoformach węgla
Laser trimming of thick film composite resistors based on nanoforms of carbon
Autorzy:
Dybowska-Sarapuk, Ł.
Kiełbasiński, K.
Jakubowska, M.
Młożniak, A.
Janczak, D.
Wyżkiewicz, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192010.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
korekcja laserowa
rezystory kompozytowe
laser trimming
composite resistors
Opis:
W artykule przedstawiono zagadnienia związane z korekcją elementów biernych metodą piaskową oraz laserową. Wytworzono polimerowe rezystory z trzech rodzajów past rezystywnych: grafenowej, grafitowej i z nanorurek węglowych oraz sprawdzono ich właściwości, m.in. wartości rezystancji, TWR oraz grubości warstw. Przeprowadzono korekcję laserową polegającą na nacinaniu warstwy rezystywnej oraz wykonano szereg badań mających na celu sprawdzenie zmian właściwości elementów biernych po korekcji. Poddano analizie uzyskane wyniki badań pod kątem efektywności korekcji laserowej rezystorów z trzech badanych materiałów.
This paper examines issues related to the correction of resistors using the abrasive and laser methods. Three types of resistors, i.e. graphene, graphite and carbon nanotube resistors, were manufactured and their properties such as resistance, TWR and thickness of resistive layers were measured. Laser correction involving cutting of the resistive layer was performed. This part of work included the execution of a series of tests to verify changes in the properties of passive components after trimming. As the final step, the obtained results were analyzed to check the efficiency of laser correction of the resistors based on the three tested materials.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 4, 4; 25-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies