Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Brzozowski, ." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-13 z 13
    Tytuł:
    Termiczna zależność parametrów akustycznej fali powierzchniowej w niobianie litu o orientacjach YZ i 128°YX w zakresie od 20°C do 500°C
    Temperature dependence of surface acoustic wave parameters in YZ and 128°YX oriented lithium niobate in temperature range from 20°C to 500°C
    Autorzy:
    Brzozowski, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192260.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    akustyczna fala powierzchniowa
    niobian litu
    pomiar temperatury
    czujnik temperatury
    Opis:
    Przedstawiono obliczenia temperaturowego współczynnika zmian częstotliwości (TWCz) akustycznych fal powierzchniowych (AFP) w niebianie litu (LiNbO3) w funkcji kąta cięcia kryształu. Przedstawiono wyniki pomiarów TWCz i tłumienia linii opóźniających z AFP w niobianie litu o orientacjach YZ i 128°YX w zakresie temperatur od 20°C do 500°C. Porównano wyniki obliczeń i pomiarów dla obu orientacji. Stwierdzono, że niebian litu 128°YX w porównaniu do YZ charakteryzują bardziej liniowe zmiany częstotliwości oraz mniejsze wahania tłumienia w funkcji temperatury, co może znaleźć zastosowanie w czujnikach temperatury.
    Results of calculations of temperature coefficient of frequency (TCP) of surface acoustic wave (SAW) in lithium niobate as a function of crystal cut angle are presented. Results of measurements of TCP and attenuation in SAW delay line on YZ and 128°YX lithium niobate substrate are presented as a function of temperature change in the range from 20°C to 500°C. The comparison of orientations YZ and 128°YX shows that the second one is characterised by better frequency change linearity and lower attenuation variation with temperature. The 128°YX lithium niobate substrate is potentially applicable in temperature sensors.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 45-53
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiar koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
    Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
    Autorzy:
    Brzozowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192409.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    płytka monokryształów objętościowych
    wyznaczanie koncentracji nośników ładunku
    kalibracja sondy rtęciowej
    Opis:
    Przedstawiono metodykę wyznaczania koncentracji nośników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych węglika krzemu (SiC) poprzez pomiar charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-U) obszaru zubożonego w zaporowo spolaryzowanych złączach Schottky'ego wytwarzanych za pomocą sondy rtęciowej. Omówiono przyczyny niedokładności pomiaru. Pokazano przykładowe wyniki pomiaru koncentracji nośników ładunku oraz określono rozrzuty wartości koncentracji nośników ładunku dla płytek monokryształów objętościowych oraz warstw epitaksjalnych SiC.
    A methodology is described by which the charge carrier concentration can be determined in the wafers of SiC bulk crystals and epitaxial layers. It is based on measuring the capacitance-voltage (C-U) characteristics for the depleted region in a reverse-biased Schottky contact made by a mercury probe. The factors responsible for the measurement inaccuracy are discussed. The methodology is exemplified by the results showing the charge carrier concentrations in the bulk SiC wafers and epitaxial layers. The dispersions of the concentration values for the bulk and epitaxial material are also given.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 76-91
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary rozkładu amplitudy i fazy akustycznej fali powierzchniowej w krysztale NdCa4O(BO3)3 z wykorzystaniem sondy elektrycznej
    Measurements of the amplitude and the phase distribution of a surface acoustic wave in a NdCa4O(BO3)3 crystal using an electric probe
    Autorzy:
    Brzozowski, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192168.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    sonda
    sonda elektryczna
    kryształ piezoelektryczny
    AFP
    electric probe
    piezoelectric crystal
    surface acoustic wave
    Opis:
    Skonstruowano sondę do pomiaru rozkładu amplitudy i fazy akustycznej fali powierzchniowej (AFP) w płaszczyźnie propagacji. Elektrodę sondującą wykonano w postaci wolframowej igły przesuwanej po polerowanej powierzchni kryształu piezoelektrycznego. Do odczytu wzmocnionego sygnału z elektrody sondującej wykorzystano analizator sieci. Za pomocą sondy zbadano rozkłady amplitudy i fazy w wiązce AFP dla wybranych orientacji kryształu NdCa4O(BO3)3.
    An electric probe for measuring the amplitude and the phase distribution of a surface acoustic wave (SAW) in a propagation plane was developed. The probing electrode was prepared in a form of a tungsten pin sliding on a polished surface of a piezoelectric crystal. For reading the electric signal from the electrode, a network analyser was used. The amplitude and the phase distributions in an AFP beam were measured for chosen orientations of a NdCa4O(BO3)3, crystal.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 14-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A method for correction of elastic and piezoelectric constants of crystals using measured surface acoustic wave parameters
    Metoda korekcji stałych elastycznych i piezoelektrycznych kryształów z wykorzystaniem zmierzonych parametrów akustycznych fal powierzchniowych
    Autorzy:
    Brzozowski, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192248.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    stałe elastyczne
    stałe piezoelektryczne
    stałe dielektryczne
    akustyczna fala powierzchniowa
    elastic constants
    piezoelectric constants
    dielectric constants
    Opis:
    Surface acoustic wave (SAW) properties of a crystal depend on the density, elastic, piezoelectric and dielectric constants.On the basis of literature data, calculations of SAW parameters in a neodymium calcium oxoborate [NdCa4O(BO3)3] crystal were carried out to evaluate orientations optimal for the correction of elastic and piezoelectric constants. SAW velocities and electromechanical coupling coefficients were measured using SAW delay lines deposited on differently oriented crystal substrates. Dielectric constants were determined from measured effective permittivities. Both a nonlinear least squares algorithm and a computer program for the correction of elastic and piezoelectric constants from measured SAW velocities and electromechanical coupling coefficients were developed. The correction of NdCa4O(BO3)3 elastic and piezoelectric constants was carried out. It was shown that for the corrected constants the differences between the measured and calculated SAW parameters are marginal.
    Własności akustycznych fal powierzchniowych (AFP) w rysztale zależą od gęstości stałych elastycznych, piezoelektrycznych i dielektrycznych. Na podstawie danych z literatury obliczono parametry AFP w krysztale tlenoboranu neodymowo wapniowego [NdCa4O(BO3)3] w celu wyznaczenia orientacji optymalnych do korekcji stałych. Zmierzono prędkości i współczynniki sprzężenia elektromechanicznego AFP z wykorzystaniem linii opóźniających osadzonych na podłożach NdCa4O(BO3)3 o różnych orientacjach. Wyznaczono stałe dielektryczne z pomiaru przenikalności elektrycznych. Opracowano metodę korekcji stałych elastycznych i piezoelektrycznych wykorzystującą nieliniowy algorytm najmniejszych kwadratów i zmierzone parametry AFP. Przeprowadzono korekcję stałych elastycznych i piezoelektrycznych kryształu NdCa4O(BO3)3. Wykazano, że dla stałych skorygowanych różnice między zmierzonymi, a obliczonymi parametrami AFP są bardzo małe.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 8-13
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Bezprzewodowy pomiar temperatury z wykorzystaniem rezonatora kwarcowego z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową
    Wireless temperature measurement based on surface transverse wave quartz resonator
    Autorzy:
    Wróbel, T.
    Brzozowski, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192127.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    poprzeczna akustyczna fala powierzchniowa
    rezonator
    czujnik temperatury
    czujnik bezprzewodowy
    surface transverse wave
    resonator
    temperature sensor
    wireless sensor
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki badań urządzenia laboratoryjnego do bezprzewodowego pomiaru temperatury, w którym wykorzystano rezonator kwarcowy z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową o liniowej zależności częstotliwości rezonansowej od temperatury. Model urządzenia składa się z części nadawczej i odbiorczej. Układ nadawczy z rezonatorem o środkowej częstotliwości ~ 434 MHz, umieszczonym w pętli sprzężenia zwrotnego szerokopasmowych wzmacniaczy, generuje sygnał, który po wzmocnieniu we wzmacniaczu mocy jest przesyłany przy pomocy anteny do układu odbiorczego. Układ odbiorczy składa się z anteny odbiorczej, z szerokopasmowego wzmacniacza i licznika częstotliwości. Opracowany model umożliwia pomiar temperatury w zakresie 0 ÷ 100 °C z odległości ~ 30 m o dokładności ~ ± 0,2 °C.
    In this paper the results of investigation of a laboratory wireless temperature measurement system are presented. A surface transverse wave quartz resonator with a linear dependence of resonance frequency on temperature was used to produce a model of the sensor. The model consists of a transmitter unit and a receiver unit. In the transmitter unit, the resonator, with the center frequency of about 434 MHz, located in a coupling loop of a broadband amplifier generates a signal, which is sent by an antenna to the receiver unit after amplification by a power amplifier. The receiver unit consists of an antenna, a broadband amplifier and a frequency counter. The developed model can measure temperature in a range of 0 ÷ 100 °C, at a distance of about 30 m, with an accuracy of about ± 0.2 °C.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 2, 2; 13-17
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis
    Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z
    Autorzy:
    Sadura, J.
    Brzozowski, E.
    Łysakowska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192012.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    bulk GaN crystal
    surface acoustic wave (SAW)
    bulk acoustic wave (BAW)
    acoustic plate mode (APM)
    interdigital transducer (IDT)
    SAW filter
    objętościowy kryształ GaN
    akustyczna fala powierzchniow (AFP)
    akustyczna fala objętościowa (AFO)
    akustyczny mod płytowy (AMP)
    przetwornik międzypalczasty (PM)
    filtr z AFP
    Opis:
    The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.
    Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 4-6
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
    New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
    Autorzy:
    Kozubal, M.
    Pawłowski, M.
    Brzozowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192415.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    DLTS
    centra defektowe
    SiC
    defect centers
    Opis:
    W oparciu o miernik pojemności zestawiono nowy układ do pomiarów metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS). Rejestracja relaksacyjnych przebiegów pojemności pozwoliła na zastosowanie zaawansowanych procedur numerycznych, które umożliwiają uzyskanie dwuwymiarowych powierzchni widmowych. Na podstawie tych powierzchni możliwe jest następnie określenie temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku związanych z głębokimi poziomami defektowymi. Zależności te umożliwiają określenie podstawowych parametrów elektrycznych wykrytych centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych z większa precyzją i rozdzielczością niż dotychczas za pomocą spektrometru DLS-81. Artykuł opisuje projekt, budowę oraz proces uruchomienia nowego stanowiska pomiarowego do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej wraz z przykładowymi wynikami pomiarów oraz analizy numerycznej opartej na algorytmie korelacyjnym oraz algorytmie odwrotnej transformaty Laplace'a na przykładzie głębokich centrów defektowych wykrytych w warstwie epitaksjalnej 4H-SiC.
    A new capacitance transient spectroscopy measurement system has been set up based on a capacitance meter. The acquisition of capacitance transients has allowed the application of advanced numerical methods which make obtaining two-dimensional spectral surfaces possible. These surfaces enable the determination of the temperature dependences of the emission rates of charge carriers related to deep defect levels. As a result, the electrical parameters of detected traps are likely to be specified with higher precision and resolution than when using the DLS-81 spectrometer. The present paper describes the design, construction and start up of the new measurement system for the characterization of defect centers by means of the deep level transient spectroscopy method with exemplary test results and a numerical analysis based on the correlation algorithm and the inverse Laplace transform algorithm for deep defect centers detected in the 4H-SiC epitaxial layer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 3, 3; 9-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
    A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
    Autorzy:
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Lipiński, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192437.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    krzem porowaty
    CVD
    folia krzemowa
    epitaxial layer
    porous silicon
    silicon foil
    Opis:
    Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.
    A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 1, 1; 24-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Resonator with transverse surface wave on lithium tantalate crystal for applications in viscosity and temperature sensors
    Rezonator z poprzeczną falą powierzchniową na krysztale tantalanu litu do zastosowań w czujnikach lepkości i temperatury cieczy
    Autorzy:
    Brzozowski, E.
    Stańczyk, B.
    Przyborowska, K.
    Kozłowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192042.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    synchronous resonator
    surface transverse wave
    lithium tantalate
    LiTaO3
    viscosity sensor
    rezonator synchroniczny
    poprzeczna fala powierzchniowa
    tantalan litu
    czujnik lepkości
    Opis:
    The purpose of this work was to calculate and measure transverse surface acoustic wave resonators on 36°YX oriented lithium tantalate crystal as well as to measure of viscosity and temperature of liquids. An attenuation coefficient was used to model the leak of acoustic energy from surface into bulk of the crystal. The latest materials constants were used. Velocity, electromechanical coupling coefficient, reflection coefficient, attenuation coefficient under free and metallized surface, anisotropy coefficient were calculated, the first three of which were measured using synchronous resonator. A good agreement between measurements and calculations were obtained. Double-channel resonator was sensitive to viscosity and density multiplication product of liquid deposited on the metallized area between transducers. The temperature coefficient of frequency (TCF) of the temperature channel was measured.
    Celem pracy były obliczenia i pomiary parametrów poprzecznej akustycznej fali powierzchniowej w rezonatorze na krysztale tantalanu litu o orientacji 36°YX oraz pomiary lepkości i temperatury cieczy. Odpromieniowanie energii akustycznej od powierzchni do objętości kryształu zamodelowano wprowadzając współczynnik tłumienia fali różny od zera. Przyjęto najnowsze dostępne w literaturze stałe materiałowe tantalanu litu. Obliczono prędkość i współczynnik sprzężenia elektromechanicznego, współczynnik odbicia od pojedynczej elektrody, współczynnik tłumienia przy powierzchni swobodnej i metalizowanej oraz współczynnik anizotropii. Z wykorzystaniem rezonatora synchronicznego wykonano pomiary trzech pierwszych wielkości. Uzyskano dobrą zgodność pomiarów z obliczeniami. Skonstruowano dwukanałowy rezonator czuły na iloczyn lepkości i gęstości cieczy osadzonej na metalizowanej powierzchni międzyprzetwornikowej. Zbadano temperaturowy współczynnik częstotliwości (TWCz) kanału przeznaczonego do pomiaru temperatury.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 17-24
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wyznaczenie wybranych parametrów piezoelektrycznych kryształu SrLaGa3O7
    Determination of selected parameters in SrLaGa3O7 crystal
    Autorzy:
    Sadura, J.
    Brzozowski, E.
    Wieteska, K.
    Wierzchowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192102.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    kryształ SrLaGa3O7
    akustyczna fala powierzchniowa (SAW)
    SrLaGa3O7 crystal
    surface acoustic wave (SAW)
    Opis:
    W pracy wyznaczono parametry piezoelektryczne monokryształu SrLaGa3O7 (SLGO) otrzymanego w ITME metodą Czochralskiego, należącego podobnie jak BaLaGa3O7 (BLGO) do grupy związków chemicznych opisanych ogólnym wzorem ABC3O7 (gdzie A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al ). Pomiary i obliczenia przeprowadzono dla różnych orientacji kryształu, lepsze właściwości piezoelektryczne (najwyższy współczynnik sprzężenia elektromechanicznego K2) wykazały płytki o orientacji 45°XZ oraz ZX40°. Przeprowadzone badania termiczne potwierdziły możliwość wykorzystania tego piezoelektryka jako podłoża podzespołu wysokotemperaturowego. Zastosowana metoda badawczo – pomiarowa pozwala na szybkie szacowanie parametrów kryształu, jak również jego przydatności jako materiału piezoelektrycznego do zastosowań w podzespołach z AFP.
    This paper presents the piezoelectric properties of the SrLaGa3O7 (SLGO) crystal grown at ITME using the conventional RF-heating Czochralski method. SLGO, just like BaLaGa3O7 (BLGO), belongs to the group of compounds described by the general formula ABC3O7 (where A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al). Measurements and calculation of SAW parameters were made for different crystal plane orientations. Better piezoelectric parameters were found in 45°XZ and ZX40° orientations of SLGO. The thermal study confirmed the possibility of using this crystal as a high-temperature component base. The applied research and measurement method allows a quick estimation of the parameters of the crystal, as well as evaluation of its usefulness as a piezoelectric material for application in SAW components.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 3-8
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
    High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
    Autorzy:
    Brzozowski, A.
    Sarnecki, J.
    Lipiński, D.
    Wodzińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192377.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    rezystywność
    oporność rozpływu
    krzem monokrystaliczny
    warstwa epitaksjalna
    resistivity
    spreading resistance
    monocrystalline silicon
    epitaxial layer
    Opis:
    Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.
    Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 20-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
    Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration
    Autorzy:
    Przyborowska, K.
    Dobrzański, L.
    Możdżonek, M.
    Surma, B.
    Brzozowski, A.
    Łapińska, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192250.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiC
    grubość warstwy epitaksjalnej
    chemiczne barwienie
    thickness of epitaxial layer
    chemical decoration
    Opis:
    Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.
    A method of the chemical decoration of n and p SiC epitaxial layers has been established. Both n+n and p+p junctions are located under the wafer surface. The decoration and measurement of junction depth have been done using samples lapped at a small angle. Several staining solutions have been tested. In consequence, the best has been selected out of them to perform decoration under different circumstances. The processing conditions which enable an unambiguous thickness measurement have been determined. The reported method is simple and does not require specialised equipment. The results of junction depth measurements are consistent with those obtained using optical methods.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 14-17
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-13 z 13

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies