Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "przekształtniki mocy" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Projektowanie przekształtników dużej mocy w aspekcie doboru przyrządów energoelektronicznych do warunków zwarciowych oraz wyboru zabezpieczeń przeciwko narażeniom prądowym
High power converters designing in aspect of semiconductor power devices choice for short circuit conditions and choice of overcurrent protection systems
Autorzy:
Zymmer, K.
Sakowicz, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159271.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekształtniki dużej mocy
przyrządy energoelektroniczne
diody
zwarcia
zabezpieczenia przyrządów energoelektronicznych
ochrona przeciwprzepięciowa
Opis:
W artykule przedstawiono wpływ parametrów układu zasilania przekształtników dużej mocy (takich jak: moc zwarciowa sieci zasilającej, rodzaj i długość linii zasilającej transformator przekształtnikowy oraz jego napięcie zwarcia) na prądy w diodach prostownika zasilającego sieć trakcyjną PKP podczas zwarć na jego wyjściu. Wartości tych prądów stanowią jeden z głównych czynników doboru przyrządów półprzewodnikowych przekształtnika. Dla konkretnego rozwiązania technicznego wykonano analizy mające na celu wyznaczenie prądów w diodach przy różnych rodzajach zwarć zewnętrznych oraz wewnątrz zespołu prostownikowego. Porównano szeregowe i równoległe konfiguracje łączenia przyrządów energoelektronicznych oraz układów w przekształtnikach dużej mocy w aspekcie wytrzymałości zwarciowej urządzenia. Omówiono występujące zagrożenia uszkodzenia przyrządu oraz jego eksplozji, przy różnych rodzajach obudów elementów energoelektronicznych, w przypadku wystąpienia stanów awaryjnych. Przedstawiono sposoby zabezpieczenia różnych przyrządów półprzewodnikowych przed skutkami zwarć.
Influence of parameters of the convertor supply system (as short circuit voltage of convertor transformer the ratio of the short circuit power of supply system and kind and length of the supply line) on the rate short circuit current in diods of rectifier. These simulation analysis was conducted for of supply system of electric traction DC line of voltage 3,3 kV. The results of analysis for different events of short circuit states occurred inside and outside rectifier is presented. The serious and parallel connections of semiconductor power devices and rectifiers are compared in aspect of endurance of installation against short circuit phenomena. The problem of explosion effect of different semiconductor power devices cases in short circuit conditions is also presented. The means of protection of different semiconductor power devices against of short circuit results are described.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2002, 210; 29-64
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości magnetycznych rdzeni transformatorów i dławików do przekształtników
Investigations into magnetic properties of cores of transformers and inductors for converters
Autorzy:
Buze, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160250.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekształtniki mocy
transformatory specjalne
dławiki indukcyjne
badania właściwości magnetycznych
power static converters
special transformers
induction reactors
magnetic characteristics test
Opis:
W Zakładzie Trakcji Elektrycznej Instytutu Elektrotechniki prowadzone są systematyczne badania stosowanych rdzeni i materiałów magnetycznych. W artykule omówiono typowe przebiegi prądów i napięć, a następnie rodzaje wykonywanych badań specjalnych w nawiązaniu do ich wykorzystania. Podano także przykładowe wyniki pomiarów wykonywanych w laboratorium Instytutu.
Systematic investigations of the cores and magnetic materials applied are conducted at the Department of Electric Traction of the Electrotechnical Institute. The paper discusses typical variations of currents and voltages and then the kinds of special investigations carried out with reference to their applications. Exemplary results of measurements performed at the laboratory of the Institute are also given.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2013, 261; 67-76
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza stanów zwarciowych w przekształtnikach dużej mocy
Analysis of short circuit conditions in high power devices
Autorzy:
Zymmer, K.
Maścibrodzki, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159857.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekształtniki dużej mocy
stany zwarciowe
przyrządy energoelektroniczne
High Power converters
short circuit conditions
semiconductor power devices
Opis:
W artykule przedstawiono metodę określania zagrożeń uszkodzeniem przyrządów energoelektronicznych oraz eksplozją tych elementów w warunkach zwarć zewnętrznych i wewnętrznych w przekształtnikach dużej mocy. Metoda oparta jest na analizie porównawczej prądów przeciążeniowych deklarowanych przez wytwórców przyrządów półprzewodnikowych jako dopuszczalne z odpowiednimi wartościami prądów występujących w tych przyrządach w warunkach zwarciowych w zespole przekształtnikowym. W związku z różnymi przebiegami prądu deklarowanego jako dopuszczalny w stosunku do przebiegów występujących w rzeczywistości, jako kryterium porównawcze przyjęto odpowiadające tym prądom wartości całek i2t. Jako kryterium zagrożenia eksplozją przyrządu energoelektronicznego przyjęto wartości całki i2t, powodującej eksplozję tego przyrządu, wyznaczoną w trakcie badań eksperymentalnych prowadzonych w zwarciowni prądu przemiennego. Analizy obliczeniowe prowadzono na przykładzie trakcyjnego zespołu prostownikowego o prądzie 1700 A i napięciu wyprostowanym 3,3 kV. Analizy prowadzone były metodą symulacyjną przy wykorzystaniu programu PSIM.
Method of protection against failure or explosion hazard of semiconductor power devices, which can occur in high power converters, is discussed. This method base on a comparing of the permissible over current declared by manufactures, with the short-circuit current that can appear in case of failure. Different case of failure was analyzed and new criterion for protection of the semiconductor power devices is proposed. Taking the declared current, and the calculated integral i2t as function of time, of the short circuit current, one is able to select circuit breaker operating time that should be applied in substation. This criterion assumed was verified with gut accuracy during experimental investigation in high current conditions. Tests were made at traction DC current unit of 3,3 kV and 1700 A.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 258; 99-121
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza strat powstających podczas załączania pary tranzystorów mocy MOS-FET oraz IGBT, pracujących w przekształtnikach rezonansowych
Analysis of power losses during turning on pair of power transistors MOS-FET and IGBT working in resonant inverter
Autorzy:
Balcerak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159538.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
sterowanie tranzystorami
praca równoległa tranzystorów
minimalizacja strat mocy
sterowniki
drivery
podwyższenie sprawności
porównywanie tranzystorów
tranzystory
przekształtniki impulsowe
KPS
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono topologię rezonansowego układu przekształtnikowego służącego do generacji bardzo krótkich impulsów o wysokiej mocy. Omówiono celowość równoległego łączenia ze sobą dwóch typów tranzystorów: MOS-FET i IGBT, pracujących jako klucze w przekształtnikach rezonansowych typu Kicker Power Supply (KPS). Przedstawiono wpływ niejednoczesności załączenia tranzystorów na sprawność przetwornicy oraz na straty mocy na tych tranzystorach. Zwrócono również uwagę na opóźnienia czasu załączania wprowadzane przez sterowniki tranzystorów mocy. Omówiono także wpływ wartości rezystancji łączącej sterownik z tranzystorem mocy na sprawność przetwornicy rezonansowej.
Paper presents topology of resonant inverter which is used to generate very short, high-power pulses. Advisability of parallel connecting two kinds of transistors: MOS-FET and IGBT, working as keys in resonant inverters in Kicker Power Supply (KPS) were discussed. Influence of unsimultaneity of turning on transistors to efficiency of inverter and the power losses on these transistors was presented. Paper discussed also the delays added by the drivers of power transistors and the influence of value of resistance connecting driver with power transistor on efficiency of resonant inverter.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 59-72
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies