Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Thin Film" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Relationship between crystalline structure of poly(3-hexylthiophene) blends and properties of organic thin-film transistors – a brief review
Wpływ struktury poli(3-heksylotiofenu) i jego mieszanin na właściwości organicznych tranzystorów polowych – krótki przegląd
Autorzy:
Chlebosz, D.
Janasz, Ł.
Pisula, W.
Kiersnowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/947465.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:
poly(3-hexylthiophene) (P3HT)
polymer blends
organic thin-film transistors
poli(3-heksylotiofen) (P3HT)
mieszaniny polimerowe
organiczne tranzystory cienkowarstwowe
Opis:
Poly(3-hexythiophene) (P3HT) is one of the most extensively studied polymers for applications in organic thin-film transistors. Semicrystalline P3HT is a p-type semiconductor enabling applications in the unipolar organic field-effect transistors (OFETs). Blending P3HT with small molecular compounds can enhance the mobility of charge carriers in the OFET active layer. When small molecules reveal electron conductivity and their phase separation upon crystallization in the presence of P3HT results in formation of heterojunctions, the blends can be considered candidates for active layers in the ambipolar OFETs. Regardless of unipolar or ambipolar, the charge carrier transport always depends on the inherent properties of the polymer and small molecules as well as the crystalline structure and morphology (nanostructure) of the blends. This paper is a brief review of the recent findings regarding relationships between structure and properties of the active layers of P3HT and P3HT blends-based OFETs. Herein we discuss examples of blends of P3HT with, amongst others, perylene diimide derivatives, and discuss their OFET-related properties, like charge-carrier mobility, in relation to both crystalline structure of the blend components and blend morphology. Some key issues related to morphology control by changing layer formation conditions are also indicated in this paper.
Poli(3-heksylotiofen) (P3HT) to semikrystaliczny polimer, charakteryzujący się przewodnictwem dziurowym (typu p), dzięki czemu jest stosowany w aktywnych warstwach organicznych tranzystorów polowych (ang. Organic Field-Effect Transistor, OFET). Badania prowadzone w ciągu ostatnich lat wykazały, że mieszanie P3HT z poliaromatycznymi substancjami małocząsteczkowymi może powodować zwiększenie ruchliwości nośników ładunku (dziur) w warstwie aktywnej OFET. Zastosowanie dwufazowych mieszanin P3HT z małocząsteczkowymi substancjami o przewodnictwie typu n (np. pochodnymi perylenodiimidów) umożliwia otrzymanie tranzystorów ambipolarnych, które można wykorzystać m.in. do wytworzenia układów komplementarnych. Niezależnie od rodzaju urządzenia – unipolarnego lub ambipolarnego – transport nośników ładunku zależy od właściwości użytych substancji oraz struktury krystalicznej i morfologii (nanostruktury) mieszanin. W niniejszej pracy, na podstawie przeglądu literatury, omówiono strukturę krystaliczną i morfologię przykładowych mieszanin P3HT. Ponadto, przedyskutowano relacje pomiędzy cechami strukturalnymi cienkich filmów otrzymanych z P3HT i jego mieszanin a właściwościami OFET.
Źródło:
Polimery; 2016, 61, 6; 433-441
0032-2725
Pojawia się w:
Polimery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polytetrafluoroethylene thin films obtained by the pulsed electron beam deposition method at different gas pressures
Cienkie powłoki politetrafluoroetylenowe otrzymane metodą pulsacyjnej ablacji elektronowej w warunkach zmiennego ciśnienia
Autorzy:
Jędrzejewski, R.
Piwowarczyk, J.
Kwiatkowski, K.
Baranowska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/945860.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:
polytetrafluoroethylene thin film
pulsed electron beam deposition
background gas pressure
chemical structure
hydrophobicity
surface free energy
cienkie powłoki politetrafluoroetylenowe
pulsacyjna ablacja elektronowa
ciśnienie gazu roboczego
struktura chemiczna
hydrofobowość
swobodna energia powierzchniowa
Opis:
Polytetrafluoroethylene (PTFE) coatings were manufactured using the pulsed electron beam deposition (PED) technique. The presence of a PTFE structure was confirmed by means of Fourier transform infrared spectrometry (FT-IR). The surface morphology and roughness were characterized by atomic force microscopy (AFM). A pressure increase leads to a decrease in the material transport from the target to the substrate. The water contact angle (WCA) and surface free energy (SFE) were examined. The hydrophobic properties were preserved after film deposition.
Cienkie powłoki z politetrafluoroetylenu (PTFE) wytwarzano metodą pulsacyjnej ablacji elektronowej (PED) z zastosowaniem zmiennego ciśnienia gazu roboczego. Techniką spektroskopii w podczerwieni z transformacją Fouriera (FT-IR) potwierdzono strukturę chemiczną osadzonej cienkiej warstwy. Za pomocą mikroskopii sił atomowych (AFM) oceniano morfologię i chropowatość otrzymanej powierzchni. Wyznaczono kąt zwilżania (WCA) i swobodną energię powierzchniową (SFE) powłok z PTFE. Stwierdzono, że zachowują one hydrofobowe właściwości politetrafluoroetylenu. Zwiększenie wartości zastosowanego w procesie ciśnienia wpłynęło na zmniejszenie grubości osadzanej warstwy PTFE w wyniku pogorszenia transportu materiału z targetu (tarczy) do podłoża.
Źródło:
Polimery; 2017, 62, 10; 743-749
0032-2725
Pojawia się w:
Polimery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies